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NPN型三极管在线播放_二极管识别大全图(2024年12月免费观看)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：导读更新日期：2024-12-03

NPN型三极管

电路工程师必备符号清单𐟓‹ 大家好！今天为大家带来一份电路工程师常用的电路符号大全，帮助大家更好地理解和设计电路。 𐟔砦ᥥ𜏦•𔦵堆 𐟔砥Œ向触发二极管 𐟔砎PN型三极管 𐟔砐NP型三极管 𐟔砥➥𜺥ž‹N沟道 𐟔砥➥𜺥ž‹P沟道 𐟔砧𛝧𜘦 …型场效应管 𐟔砎PN型光敏三极管 𐟔砐NP型光敏三极管 𐟔砨€—尽型N沟道 𐟔砨€—尽型P沟道 𐟔砧𛝧𜘦 …型场效应管 𐟔砧𛓥ž‹N沟道场效应管 𐟔砧𛓥ž‹P沟道场效应管 𐟔砧”𕥊覜𚊰Ÿ”砥䩧𚿊𐟔砨“„电池 𐟔砩黤𝓨풊𐟔砦‰쥣𐥙芰Ÿ”砦™𖦌Ÿ”砧›𔦵电机 𐟔砤𘉧믩™𖧓𗦻䦳⥙芰Ÿ”砧靈ኰŸ”砥…‰电耦合器 𐟔砧𛧧”𕥙芰Ÿ”砦Œ‰键 𐟔砥𜀥…𓊰Ÿ”砥•刀双掷开关 𐟔砨”动单刀双掷开关 𐟔砧›𔦵保险 𐟔砤𚤦𕁤🝩™銊希望这份清单能帮助大家更好地理解和设计电路，提升工作效率！

𐟔Š 探索功放的奥秘：从基础到进阶 𐟚€ 𐟔砧ᬤ𛶥Ÿ𚧡€：功放功放，全称功率放大器，是电子系统中的关键组件。它通常位于多级放大的最后一级，即输出级，负责将信号的电压和电流放大，以驱动负载。 𐟔Š 功放的类型甲类功放：静态工作点设置较高，功放管在整个信号周期内都导通，失真小但效率低，最高效率约50%。乙类功放：功放管只在半个信号周期内工作，需要两个功放管分别放大信号的正负半周，效率高，最高可达78.5%，但会产生交越失真。 𐟓 对功放的要求输出功率足够大效率尽可能高非线性失真要小散热良好，具有过流、过压、过热保护 𐟔 甲类功放的特点静态工作点设置较高，在信号整个周期内功放管都导通。一个三极管可完成整个周期信号放大。失真小。效率低，最高效率只有50%。 𐟔 乙类功放的特点功放管仅在半个信号周期工作，需要两个功放管分别放大信号的正负半周。效率高，最高可达78.5%。信号在死区内得不到放大会产生交越失真。 𐟔„ 乙类功放的交越失真 NPN型乙类功放单管只有正半周信号输出，PNP型乙类功放单管只有负半周信号输出。为了输出完整信号，可以将NPN型管和PNP型管组合起来，构成双管互补对称乙类功放。在输出信号过零点处会产生失真，称为交越失真。 𐟓Š 乙类功放的电路图与输出电压波形乙类功放电路图展示了正半周和负半周的工作状态，以及交越失真的现象。输出电压波形图则直观地展示了输出电压的变化。

高倍率高功率三极管有多种，以下是一些常见的型号及其特点： 2SC5200：高功率NPN三极管，具有较高的放大倍数，适合用于放大功率较大的音频信号，还具有低噪声、大电流、高频响应等优点，在功放电路中得到广泛应用。 2SC2383：NPN高频三极管，放大倍数达到了500~1000，收集极与基极间电容小，带宽宽，适合放大高频信号。 2SC2625：NPN高频三极管，放大倍数也高达500~1000，带宽宽、增益稳定，具有良好的互用性。 2SC3329：P型高频三极管，放大倍数可以达到800以上，带宽宽，噪声小，适用于高灵敏度、低噪声的场合。 2SA970：PNP型低噪声三极管，放大倍数达到了1000以上，低噪声，频响宽、线性好，可以作为电流放大器或共模放大器。 2SB817：PNP型功率三极管，放大倍数可以达到60~320，具有高输出电流和低饱和压降的特点，主要应用于功率放大电路中。 TIP32A：PNP型中大功率三极管，具有高功率处理能力、高耐压能力、放大性能强大、高温工作能力、散热性能好等优点，在计算机电源、通讯、家用电器、功率放大器、音频放大器等领域得到了广泛应用。此外，3DA系列也是高频大功率三极管，属硅NPN型三极管，可广泛应用于高、中、低频功率放大、开关电路等。在实际应用中，应根据具体需求选择合适的三极管型号。

𐟔三极管极性快速判断法 𐟔禃𓨦知道三极管的各个极怎么判断吗？来，教你一招！ 1️⃣ 首先，我们用指针式万用表置于R*1k档，电阻调零。 2️⃣ 接着，用黑表笔接我们假定的基极，红表笔分别与另外两极相接。如果出现两次电阻都很小的情况，那么黑表笔接的就是基极b，而且这是NPN型三极管哦！𐟔 3️⃣ 如果没出现两次电阻都很小的情况，我们就把红表笔接假定的基极b，黑表笔分别与另两极相接。当出现两次电阻都很小时，红表笔接的就是基极b，这次是PNP型三极管啦！𐟔 4️⃣ 然后，我们用万用表置于hfe档位，将三极管的基极b插入对应的插孔，测量管子的放大倍数。再反插一次，两次测量结果会明显不同，放大倍数比较大的一次，三极管的三个引脚就对应插孔上的e、b、c啦！𐟎‰ 5️⃣ 最后，我们再用万用表置于R㗱k电阻档，分别测量发射结、集电结正反向电阻各一次，共4次。再测出集电极与发射极之间的电阻2次。如果6次测量都正常，那说明三极管质量上乘哦！𐟒ꊊ𐟒ᥰ贴士：硅管PN结的正向电阻在几百欧到几千欧之间，反向电阻大于500千欧，c e 之间的电阻大于2兆欧。锗管PN结的正向电阻在几百欧到1千欧之间，反向电阻大于400千欧，c e 之间的电阻大于几千欧。记得哦！

s贴片二极管丝印与型号对照表在电工领域，了解二极管和三极管的型号命名方式至关重要。根据半导体器件型号命名方法（GB249-74），国产半导体器件的型号由五部分组成。下面是二极管和三极管型号命名的详细解析： 1️⃣ 第一部分：晶体管数目 ⷠ2：二极管 ⷠ3：三极管 2️⃣ 第二部分：材质和极性 ⷠA：N型锗材料 ⷠB：P型锗材料 ⷠC：N型硅材料 ⷠD：P型硅材料 ⷠA：PNP型锗材料 ⷠB：NPN型锗材料 ⷠC：PNP型硅材料 ⷠD：NPN型硅材料 ⷠE：化合物材料 3️⃣ 第三部分：功能标识 ⷠP：普通管 ⷠV：微波音 ⷠW：稳压管 ⷠC：参量管 ⷠZ：整流管 ⷠL：整流堆 ⷠS：隧道管 ⷠU：光电器件 ⷠK：开关管 ⷠX：低频小功率管 ⷠG：高频小功率管 ⷠD：低频大功率管 ⷠA：高频大功率管 ⷠT：可控整流器 4️⃣ 第四部分和第五部分：序号和规格号，表示某些性能与参数上的差别，因不具备统一性，这里就不多说明了。通过这些信息，您可以更好地理解和选择适合您项目的二极管和三极管型号。

𐟔 模电知识要点大揭秘 𐟔슰Ÿ“š 模电基础知识点总结三极管与场效应管：理解PNP和NPN三极管的工作原理，以及结型场效应管和绝缘栅型场效应管的特点。公式集锦：掌握模电中的关键公式，如电流、电压和电阻的计算公式，以及放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算方法。 𐟔砦衧”𕥅쥼详解电流公式：理解电流的计算方法，包括基尔霍夫电流定律和欧姆定律。电压公式：掌握电压的计算公式，如串联电路和并联电路中的电压分配。电阻公式：了解电阻的计算方法，包括串联电阻和并联电阻的计算。 𐟓– 模电放大器类型理想电压放大器：了解理想电压放大器的特点，包括输入电阻小、输出电阻大。理想电流放大器：掌握理想电流放大器的特点，包括输入电阻大、输出电阻小。 𐟔砦衧”𕥮ž践应用差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，包括共模抑制比和差模增益的计算。运算放大器：掌握运算放大器的基本应用，如加法、减法、微分和积分等运算。 𐟓– 模电知识总结通过总结模电的基础知识点和实践应用，加深对模电的理解和掌握。结合具体的电路设计和实验操作，提升解决实际问题的能力。

𐟓š电子技术全解析𐟔슰Ÿ“– 模拟电子技术基础知识半导体：介于导体和绝缘体之间的物质，如硅（Si）和锗（Ge）。特性：光敏、热敏和掺杂特性。本征半导体：纯洁的单晶体半导体。载流子：带有正、负电荷的可移动的空穴和电子。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 P型半导体：掺入微量三价元素，多子是空穴，少子是电子。 N型半导体：掺入微量五价元素，多子是电子，少子是空穴。杂质半导体的特性：载流子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 𐟔砐N结单向导电性：正偏导通，反偏截止。导通电压：硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。伏安特性：正向导通，反向截止。正向导通压降：硅管0.6-0.7V，锗管0.2-0.3V。死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的上下；等效电路法；直流等效电路法；微变等效电路法。 𐟔頧賥Ž‹二极管及其稳压电路特性：正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 𐟓ᠤ𘉦ž管及其工作原理类型：分为NPN和PNP两种。特点：基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。工作原理：三极管的三种根本组态；三极管内各极电流的分配；共发射极电流放大系数；共射电路的特性曲线。 𐟔砦”𞥤秔𕨷栗„等效模型简化模型：rbe-输出端交流短路时的输入电阻；B-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用B表示。 𐟓Š 根本放大电路组成及其原那么组成：VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。组成原那么：能放大、不失真、能传输。图解分析法：直流通路与静态分析；交流通路与动态分析；静态工作点与非线性失真；放大器的动态范围。 𐟔砩›†成运算放大电路组成：将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路。特性：集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。抑制温漂（零点漂移）的方法：直流负反响；温度补偿（利用热敏元件来抵消管子的变化）；构成差分放大电路。失真类型：线性失真（我们所要的,构成电路的放大）；非线性失真（饱和失真、截止失真、交越失真）。耦合方式：直接耦合（低频特性好，便与集成化；存在温漂问题）、阻容耦合（便于计算静态工作点，低频特性差）、变压器耦合（低频特性差，实现阻抗变换；常用于调谐放大电路）、光电耦合。 𐟓ˆ 功率放大电路类型：共发射极电路、共集电极单级放大器、共基极放大器。特点：共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化；共集电极单级放大器无集电极负载电阻，输出信号取自发射级（发射级电压跟随器）；共基极放大器。

硬件工程师必知：继电器工作原理与驱动电路忙碌了一周，终于到了周末。在工作中，继电器是一种常见的电子器件，今天我们来简单了解一下它的基本知识。 𐟔 定义继电器是一种当输入量达到规定条件时，其一个或多个输出量会发生产生预定跃变的元器件。对于电磁继电器、固体继电器和组合式继电器，可以简单理解为：在输入端施加规定的电信号，其输出端接通和断开被控制电路的一种开关。 𐟏 单稳态继电器：线圈被激励时触电动作，线圈去掉激励后，触点恢复原状。 𐟌€ 磁保持继电器：线圈被激励时触电动作，去掉激励后，触点仍保持该状态，要使触点恢复原状，需要给单线圈型的线圈施加反向激励，或双线圈型的复归线圈施加激励。 𐟓Š 相关参数触点参数：触点形式一般分为常开（动合）触点、常闭（动断）触点、转换触点；触点额定负载、接触电阻、接触压降、最大切换功率、机械耐久性、电耐久性、浪涌电流、最小适用负载。性能参数：绝缘电阻、介质耐压、动作时间、释放时间、复归时间（仅针对磁保持继电器）、回跳时间（指从触点闭合瞬间到稳定闭合为止的时间）、切换频率、环境温度、封装。线圈参数：额定线圈功率、额定电压、动作电压、释放电压、复归电压（仅针对磁保持继电器）、线圈电阻、最大电压（线圈短时间内能够承受的最大电压值）。 ⚡ 驱动电路以单稳态继电器为例，一般采用晶体管来驱动继电器，常用NPN三极管。如图所示，当IO输入高电平时，Q1饱和导通，继电器线圈通电，触点吸合；当IO输入低电平时，Q1截止，继电器线圈断电，触点断开。若需要隔离控制，可在IO处增加光耦。R1起限流作用，R2使Q1可靠截止，D1为反向续流二极管，吸收驱动三极管在断开时继电器线圈的自感电压。通过这些基础知识，我们可以更好地理解和应用继电器，提高硬件工程的设计和开发能力。

达林顿管的电极与性能检测全解析达林顿管是一种由两个或多个晶体管串联而成的特殊晶体管，主要用于实现高增益和输出电流。它的内部结构包括将两个或多个晶体管的集电极连接在一起，而将第一个晶体管的发射极直接耦合到第二个晶体管的基极，依次级连而成。最终引出E（发射极）、B（基极）和C（集电极）三个电极。这种结构使得达林顿管的放大倍数成为参与串联的各个晶体管放大倍数的乘积，通常可达数千至数十万倍。然而，随着功率的增大，前级晶体管的漏电流会被逐级放大，导致整体热稳定性变差。为了解决这个问题，现代的达林顿管内部通常集成有均衡电阻和二极管，以提高热稳定性并提高后级功率管的耐压。达林顿管的分类方式根据内部前后三极管的型号差异，主要有四种组合方式： Q1+Q2=NPN+NPN Q1+Q2=PNP+PNP Q1+Q2=PNP+NPN Q1+Q2=NPN+PNP 检测达林顿管的好坏包括识别电极、区分NPN和PNP型管、检查放大能力等步骤。使用万用表测量达林顿管的电阻值可以判断其性能，例如测量B（基极）和C（集电极）之间的正反向电阻应有明显差别，而B（基极）和E（发射极）之间的电阻值则是B-E结正向电阻值与泄放电阻R1、R2阻值并联的结果。此外，通过在C极和B极间加一个电阻来检测达林顿管的放大能力，观察电阻值的变化可以判断其放大能力的好坏。综上所述，达林顿管通过其独特的内部结构和分类方式，以及相应的检测方法，实现了高增益和强驱动能力的电子器件，广泛应用于需要高放大倍数和高输出电流的电路中。

在本次的电路设计分享中，聚焦于一个 PMOS 电路，深入探究其中各元器件所发挥的关键作用。此电路包含 Q1（NPN 三极管）与 Q2（PMOS 管），由 MCU 凭借高低电平掌控三极管 Q1 的导通与关断状态。当 Q1 处于关断时，因电阻 R 无电流通过，A 点电位等同于 Vin，即 Q2 的栅极电压 VG 为 Vin，同时其源极电压 VS 也为 Vin，如此一来 Q2 的 G、S 两端电压差为 0，致使 Q2 关断，此时 VOUT 无输出。而当 Q1 导通，A 点电压降为 0，Q2 的 G、S 电压变为 0 - Vin = -Vin，一旦 -Vin 达到 Q2 的导通门限电压，Q2 便导通，VOUT 得以输出。开关管 Q1 可在 NMOS 与 NPN 三极管之间抉择，其选择依据 MCU 的 IO 电压，要确保所选 MOS 管的开启电压高于三极管的开启电压。限流电阻 R2 的取值取决于 MCU 的 IO 电压、最大输出电流以及开关管 Q1 的类型。一般而言，MOS 管的限流电阻取值在几十 范围，三极管的限流电阻则需依据 MCU 的 IO 电压与最大输出电流计算，通常处于 k级别。上下电阻 R3 兼具上拉与下拉电阻的功能，具体取决于 VOUT 的默认状态。在上电瞬间，MCU 尚未就绪，此时需借助电阻来固定电平。若 VOUT 上电默认开启，则 R3 用作上拉电阻，反之则为下拉电阻，上拉电压 VCC 即为 MCU 的 IO 供电电压。在 PMOS 的 GS 之间并联电容 C，当开启 PMOS 时，先对电容 C 充电，使 PMOS 的 VGS 从 0 逐步上升，让 PMOS 经可变电阻进入饱和区，以此避免在开通瞬间因后级电路诸多因素致使 PMOS 遭受大电流冲击。GS 电阻 R1 的取值多在几十上百 K𜌨🙦œ‰助于降低 Q1 导通时的功耗。不过需留意，R1 为 MOS 的 GS 电容构建了放电回路，若 R1 取值过大，会造成 MOS 管关断速度减缓。更多PCB资讯查看捷配官网：网页链接

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