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mos管作用权威发布_mos管作用有哪些(2024年12月精准访谈)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：观点更新日期：2024-11-29

mos管作用

硬件工程师面试必备问题清单，轻松通关！找工作越来越卷了，选对学习方法事半功倍。今天给大家整理了64道硬件工程师面试时被频繁问到的题目，纯干货一定要码住认真看噢❗❗ ✅ 面试题阻抗匹配的概念以及作用？单片机最小系统由哪几个部分组成？解释一下建立时间，保持时间，不满足时会发生什么？共模抑制比越大越好还是越小越好？ mos管和三极管的区别？ mos管内部的反型层是什么？ TCP/IP协议的层数？材料硬度由什么决定？ AD转换的精度由什么影响？什么样的AD转换速度最快？ BOOST电路SW施加电压计算？互连链路阻抗特性？传输线损耗由哪几部分组成？ EMC指标由哪几部分组成？如何消除差模干扰？ AD设计电路全流程？开关电源的基本框图和 LDO 的基本框图并描述区别？ SD3.0接口电压标准？晶振市场失效率？ RS232-C的硬件接口组成？眼图的功能？局域网传输介质有哪几类？ NMOS与PMOS的区别？电路时间常数的物理意义？ LDO电源效率的计算？ mos管和igbt的共同和不同点？二极管P引出端是什么级？带电量与体密度关系？ PID调节器是什么调节器？（滞后超前）集成运放参数理解，包括哪几部分，压摆率呢？ buck的电感很大导致？ buck电路的计算公式是什么？电容esr的重要性？说一说集成运放的主要参数有哪些？竞争与冒险是什么？ UART通信协议有几根线，分别有什么作用？示波器的带宽和采样频率是指什么？解释一下同步电路和异步电路？解释亚稳态？ pcb的常用布线规则有哪些？ DCDC和LDO的区别？如果阻抗不匹配，有哪些后果？更多硬件工程师必问面试题请看上图

在MOS管和IGBT的栅极源极驱动中，当使用正负方波进行驱动时，栅极源极并联电阻的阻值理论上可以设计得相对较大，但并非无穷大。这是因为：电阻的作用：栅极源极并联电阻主要用于限制栅极电流的峰值，防止在栅极产生过大的瞬态电流，从而保护栅极不被损坏。同时，它还能帮助稳定栅极电压，减少栅极电压的波动。阻值的选择：电阻的阻值选择需要综合考虑多个因素，包括栅极驱动电路的电压、电流要求，MOS管或IGBT的栅极特性，以及驱动信号的频率和波形等。阻值过大会导致栅极充电和放电速度变慢，影响开关速度；阻值过小则可能增加栅极的功耗和发热。实际应用：在实际应用中，电阻的阻值通常是根据具体需求和实验测试结果来确定的。由于各种因素（如驱动电路的布局、寄生电感等）的影响，即使理论上可以设计较大的阻值，但在实际应用中也可能需要调整以获得最佳的性能。无穷大阻值的不可行性：理论上，如果电阻的阻值无穷大，那么它将无法为栅极提供足够的电流来快速充电或放电，这将导致开关速度极慢，甚至无法正常工作。因此，在实际应用中，电阻的阻值必须是有限的，并且需要根据具体情况进行合理选择。 #热点引擎计划# 综上所述，MOS管和IGBT栅极源极并联电阻的阻值虽然可以设计得相对较大，但并非无穷大。其阻值的选择需要综合考虑多个因素，并根据具体需求和实验测试结果来确定。

𐟔秡줻𖦵‹试工程师必备知识𐟓– 𐟔 阻抗匹配的概念及其在电路中的作用，确保信号传输的稳定。 𐟔頥•片机最小系统构成，了解硬件基础，轻松应对测试挑战。 ⏰ 建立时间和保持时间的理解，掌握硬件时序的关键。 𐟌 共模抑制比的选择，优化电路性能，提升测试效率。 𐟒᠍OS管与三极管的差异，以及MOS管内部的反型层知识。 𐟌 TCP/IP协议的层数，网络通信测试的基础。 𐟒ꠦ料硬度决定因素，以及AD转换精度和速度的影响因素。 𐟔砂OOST电路SW施加电压计算，确保电源稳定输出。 𐟔Œ 互连链路阻抗特性，影响信号传输质量。 𐟌€ 传输线损耗组成，优化线路设计，提升测试准确性。 𐟛᯸ EMC指标构成，全面了解硬件电磁兼容性。 𐟚력𗮦补𙲦‰𐦶ˆ除方法，提升电路抗干扰能力。 𐟓ˆ AD设计电路全流程，从设计到测试，一应俱全。 𐟔„ 开关电源与LDO基本框图及区别，电源测试的重要知识点。 𐟓ž SD3.0接口电压标准，确保数据传输的稳定性。 𐟒ᠦ™𖦌兩‚场失效率，了解硬件性能指标。 𐟔Œ RS232-C硬件接口组成，串口通信测试的基础。 𐟑️ 眼图功能，评估信号质量的重要工具。 𐟌 局域网传输介质类型，网络测试的必备知识。 𐟒᠎MOS与PMOS的区别，掌握MOS管特性。 ⏰ 电路时间常数的物理意义，理解电路响应速度。 𐟔‹ LDO电源效率计算，优化电源性能。 𐟒᠍OS管与IGBT的共同与不同点，对比分析两种元件。 𐟔𚌦ž管P引出端级别，了解二极管特性。 𐟒ꠥ𘦧”𕩇与体密度关系，掌握电容基本知识。 𐟎›️ PID调节器原理（滞后超前），了解控制系统设计。 𐟓Š 集成运放参数理解，包括压摆率等关键指标。 𐟪㠂uck电路电感影响及计算公式，掌握电路设计要点。 𐟔砧”𕥮𙅓R的重要性，了解电容性能参数。 𐟌Ÿ 集成运放主要参数解析，提升电路分析能力。 𐟏ƒ‍♂️ 竞争与冒险概念，理解电路中的竞争现象。 𐟓ž UART通信协议线材及作用解析，掌握串口通信原理。 𐟌 示波器带宽和采样频率解析，了解信号测量基础。 ⏰ 同步电路与异步电路区别，掌握电路时序控制。 𐟒�𚚧賦€概念及影响，了解电路稳定性问题。 𐟎蠐CB布线规则，优化电路设计，提升测试质量。 𐟔„ DCDC与LDO区别，选择适合的电源转换方案。 𐟚렩˜𛦊—不匹配后果，了解电路设计中的关键问题。 𐟒ᠥ𘸧”詀𛨾‘电平关系解析，掌握数字电路基础。 𐟌ˆ 二极管特性及电容滤波应用，了解电路元件功能。

𐟤” 为什么要考虑电流大小呢？ 𐟤” 你是否曾疑惑过，在电路设计中，为什么要考虑电流大小呢？尤其是在使用MOS管时，推挽作用更是让人感到困惑。 𐟒ᠩ斥…ˆ，我们要明白，MOS管是一种压控型器件。但是，当它的驱动电流不足时，就需要考虑电流大小了。因为MOS管的输入电容CGS和CGD与芯片面积有关，栅极电位的上升与下降本质上是对这些电容的充放电过程。 𐟔砥œ觔𕨷郞𞨮ᤸ�Œ如果IC或CPU的电流较小，不足以直接驱动MOS管，那么就需要加入推挽电路来增加驱动能力。通过推挽电路，我们可以有效地放大电流，确保MOS管能够正常工作。 𐟒ᠦ‰€以，考虑电流大小并不是为了限制电路的输出，而是为了确保电路的稳定性和可靠性。在电路设计中，合理选择和设计电流大小，是非常重要的哦！

小牛电动车电路改装避坑指南：别踩这些坑！大家好，今天我们来聊聊小牛电动车的电路改装，特别是那些常见的坑。希望这些经验能帮到正在改车的朋友们。高压中控：别盲目升级 𐟚늩斥…ˆ，很多人觉得高压中控能提高耐压范围，避免MOS管击穿。但其实，MOS管的击穿跟它的内阻有关，单纯升级高压中控并没有太大作用。除非你同时更换MOS管，否则这种升级基本没啥意义。高压灯控：就是个伪命题 𐟌‘ 所谓的高压灯控，其实是个误导。灯控的工作电压都是12V，无论输入还是输出，都是12V。那些打着高压灯控旗号的商家，都是在忽悠人。灯控加继电器：小心陷阱 ⚡ 高中物理告诉我们，继电器的作用是控制大电流高电压。但前提是你的继电器额定功率要够。我观察到的很多灯控加继电器的版本，继电器的额定电流只有5A，这意味着额定工作功率60W。而改了透镜大灯的朋友们都知道，透镜大灯的功率远超60W。所以这种改装不仅没用，还可能更危险。中控转接线加继电器：小心低电压限制 𐟔‹ 加继电器的目的是为了保护中控的MOS管不被击穿。因为中控在解锁时会有电流进入DC，DC供电给全车12V电路，本身DC属于感性负载，会导致瞬间电流比较大，容易导致MOS管击穿。所以用继电器来负责电路的导通，而中控负责继电器的吸合线路的导通。但这种方法的缺点也很明显，工作电压限制。目前常用的是84V和72V继电器，意味着低电压电池无法使用。因此不建议使用。总之，电路改装一定要谨慎，避免不必要的麻烦。下次我们再来聊聊如何避免灯控和中控的损坏，敬请期待！𐟚€

通过控制MOS管的导通占空比和频率，可以从310V直流电得到低压直流电，这一过程的核心原理涉及PWM（脉冲宽度调制）技术。以下是对该过程的详细分析：一、PWM技术简介 PWM技术是一种常用的电源管理技术，通过改变脉冲信号的占空比（即高电平时间占整个周期的比例）和频率，可以实现对输出电压和电流的有效控制。二、MOS管导通占空比的作用在PWM+MOS驱动电路中，MOS管的导通占空比决定了输出电压的平均值。当占空比增大时，MOS管导通时间延长，输出电压的平均值升高；反之，输出电压的平均值降低。因此，通过精确控制MOS管的导通占空比，可以得到所需的低压直流电。三、频率的影响频率在PWM技术中同样起着重要作用。虽然频率的变化不直接影响输出电压的平均值，但它会影响输出电压的纹波大小和电路的动态响应性能。较高的频率通常可以减小输出电压的纹波，但也会增加电路的开关损耗和电磁干扰。因此，在选择频率时需要根据具体的应用需求进行权衡。四、实现过程在实际应用中，通常使用专门的PWM控制器来生成PWM信号，并通过驱动电路将PWM信号传递给MOS管。PWM控制器可以根据预设的电压值或电流值来调整PWM信号的占空比和频率，从而实现对输出电压的精确控制。五、注意事项在设计电路时，需要确保MOS管能够承受所需的电压和电流，并选择合适的散热措施以防止过热损坏。为了减小输出电压的纹波，可以在输出端添加滤波电路，如LC滤波器。在实际应用中，还需要考虑电路的稳定性、抗干扰能力以及电磁兼容性等因素。综上所述，通过控制MOS管的导通占空比和频率，可以有效地从310V直流电得到低压直流电。这一技术在电源管理、电机控制等领域具有广泛的应用前景。

-单片机手工：（零基础学习制作）作用：尾灯动态闪烁提醒。物料：一：硬体 1，单片机stc15f104w（前年价格：RMB1.5元）； 2，LED灯1w（拆旧）3v100ma； 3，MOS管（电单车控制器拆旧）； 4,IC3v稳压芯片65Z5，最大电流150ma（价格RMB：10分）； 5，USB插头+尾线（拆旧）二：软体（数据大小：3771bit） 6，编程C语言（自制）之前的模块组合后稍微修改。欢迎：儿童、成人、前辈加入队伍：单片机编程+手工制作好玩的玩具。哈哈哈[合十][拳头][呲牙]yzqlpc2的微博视频

PMOS电路设计详解：从原理到实践今天我们来详细讲解一个PMOS电路的设计，了解各个元器件在电路中的作用。这个电路中，Q1是一个NPN三极管，Q2是PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。 𐟔 当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin。此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，VOUT输出关断。 𐟔„ 当Q1导通时，A点电压为0，此时的Q2的G、S电压为0-Vin=-Vin。当-Vin满足Q2的PMOS管的导通门限电压时，Q2导通，Vout输出导通。 𐟚栥𜀥…𓧮ᑱ可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择。MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。 𐟚砩™流电阻R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择。MOS管的限流电阻通常在几十𚧥ˆ민Œ三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在k𚧥ˆ룀‚ 𐟔砤𘊤𘋧”𕩘𛒳可以作为上拉电阻或下拉电阻，这取决于VOUT的默认状态。在上电时，如果MCU还没准备好，需要一个电阻来固定电平。如果默认VOUT上电，那么R3就需要上拉，反之则是下拉。上拉的电压VCC是MCU的IO供电电压。 𐟒ᠥœ萍OS的GS之间并联一个电容C。当开启PMOS时，先给电容C充电，此时PMOS的VGS从0开始上升，PMOS经过可变电阻再到饱和区，可以防止开通瞬间后级电路中，各种因素导致PMOS被大电流冲击。 𐟔頇S电阻R1的选值在几十上百K𜌨ƒ𝦜‰效减小Q1导通时的功耗。不过这里要注意，R1给MOS的GS电容提供了放电回路，如果R1过大，就会导致MOS管关断速度变慢。

如何在5个月内快速掌握嵌入式系统开发？很多人一听到嵌入式系统开发，就觉得需要学C语言、C++、数据结构、微机原理、单片机、ARM、电路、RTOS、Linux等等。𐟘𕢀𐟒련🙤𙈥䚥†…容，学完至少得几年吧？半年找不到工作，心态崩了，还怎么有耐心继续学？𐟘“ 其实，嵌入式系统开发有很多职业方向，定位好了之后，你会发现要学的东西并没有想象中那么多。𐟙…‍♂️ 自学的最大问题是不知道该学什么，没有方向，没有学习氛围，没人指导，不知道学到什么程度才能去找工作。这些问题综合起来，足以劝退很多人。我接触过很多初学者，学着学着就放弃了，原因各种各样，但核心问题就是不能持续保持好的心态去面对问题。 ⚠️ 如果现在让我从零开始学，我会怎么做？以及什么阶段会选择培训？ 𐟓 先学基础知识先从常用元器件的原理和作用开始，比如电阻、电容、二极管、三极管、MOS管等。然后直接买个51开发板，跟着配套教程学C语言和51单片机。边学边写代码在开发板上实践，把开发板的所有功能都玩一遍，掌握常用的通信协议，比如UART、I2C、SPI。 𐟓 找点基于51的小项目练手如果有条件，找人带你做些商业化的项目，这样也能积累项目经验。 𐟓 通过项目学习STM32 大多数人通过开发板来学STM32。通过开发板学虽然系统但周期慢，学完也不一定会做项目。最好的方式是主要精力放在项目上，开发板辅助学外设调试，但成本稍微高一点。 𐟓 RTOS要不要学？很多人看到岗位需求需要用到RTOS，其实不是刚需，不会成为你找工作的门槛。新手有学RTOS的精力，不如多做几个项目，对找工作来说帮助更大。 𐟓 总结有基础的同学可以自学，没基础的同学还是老老实实选择个靠谱的培训班吧。想了解靠谱嵌入式培训的同学可以留言，我来帮你看看。

𐟔‹【反激变压器】RCD尖峰吸收电路详解𐟔犰Ÿ” 尖峰电压的产生：当MOS管从导通状态变为关闭状态时，变压器中储存的能量会转移到副边。然而，漏感中的能量无法直接转移到副边。由于漏感电流的方向不变，仍然是从右到左，而MOS管已经关闭，导致漏极电压逐渐升高。当电压达到311.7V时，二极管D1开始导通。 𐟔Œ 各器件的作用： D1：蓄流给C1充电。当漏感能量耗尽后，二极管D1截止，直到下一个周期MOS管导通再关闭时，漏感尖峰电压比C1电压高时才能重新导通。 C1：储存电荷，当漏感尖峰电压重新充电时，C1上的电压会被R1消耗，逐渐下降。 R1：在漏感能量释放完毕后（通常只占一个周期的3%时间），通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。 𐟓 使用注意事项：漏感尖峰电压会被RCD吸收，漏感能量一定时，电容越大，充电电压越低，吸收能力越强，MOS漏极的电压就越低。在漏感能量释放完毕后，需要通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。电容容量和电阻需要合理搭配，容量足够即可，能够吸收漏感尖峰电压，不至于超过MOS耐压。电阻需要足够小，小到在放电阶段把电容电压下降到MOS的电压平台。但是不能下降到电压平台以下，否则会浪费能量。 𐟓𘠤𛊥䩧š„需求是更换芯片并复用总线，任务艰巨。下次遇到类似情况时，需要更加冷静和专注。今天还定了生日写真，接下来要认真吃饭了。