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刻蚀工艺最新视觉报道_刻蚀机(2024年12月全程跟踪)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：热点更新日期：2024-12-01

刻蚀工艺

〇国产光刻胶通过量产验证半导体领域需求快速增长 ———————— 近日，武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列，在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，对后道刻蚀工艺表现更为友好。随着全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展，驱动了半导体制造对光刻胶的需求增长。开源证券表示，在KrF光刻胶方面，随着3D NAND堆叠层数迅速增加，对光刻胶的使用量将大幅提升。预计至2024年底，我国将建立32座大型晶圆厂，且全部锁定成熟制程，光刻胶总体需求量增速将快速复苏。 $彤程新材(sh603650)$ 上半年导入多款高分辨KrF、ArF光刻胶(含干式和浸润式)和BARC底部抗反射涂层等产品陆续通过客户认证，其中ArF光刻胶已开始形成销售; $雅克科技(sz002409)$ 的OCPS光刻胶产线建设完成，产品正在客户端导入测试。「A股超话」「财经」

10月10日晚间，中巨芯发布公告，宣布其参股子公司晶恒希道（上海）科技有限公司拟以现金方式收购Heraeus Conamic UK Limited（以下简称“标的公司”）100%股权。标的公司是一家位于英国的半导体高纯石英材料制造商，专注于为全球半导体和光学行业提供天然熔融石英和合成熔融石英等产品。这些材料广泛应用于半导体刻蚀工艺及光学应用中。标的公司凭借其销售网络服务于欧洲、美国、日本等全球市场的半导体设备厂商。业内分析师指出，标的公司与中巨芯在下游市场有一定重叠，此次收购将有助于中巨芯通过标的公司现有的销售渠道，加速拓展国际市场，尤其是在高端半导体材料领域的布局。尽管标的公司在高纯石英材料领域具备优势，但其近两年的营业收入和利润均出现下滑。 2022年和2023年，标的公司分别实现营业收入3320.9万英镑和1802.8万英镑，税息折旧及摊销前利润（EBITDA）则分别为113.2万英镑和-348.9万英镑。本次收购的股权价款预估在1351万英镑至1410万英镑之间，增值率为负66.9%至负61.37%，最终金额将根据交割审计结果进行修正。中巨芯坦言，未来的经营过程中仍将面临宏观经济、市场竞争及政策变化等不确定性风险，本次交易的最终完成还需通过中国相关部门的审查批准。

华中科技大学攻克了光刻胶，卡脖子技术又少了一个，祝贺！这次又把Jim博士等美吹的脸给打了！ --------------------------------------------------- 武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

60元以下小批量重点关注先锋精科688605。先锋精科为专注核心工艺的国产半导体零部件龙头，是国内少数已量产供应7nm及以下国产刻蚀设备关键工艺部件的厂商之一。「周芯竹周密」「冷风概念」「学信网发了永夜星河」

【国产光刻胶重磅突破！】据东湖国家自主创新示范区官网10月15日消息，近日武汉太紫微光电科技有限公司（下称“太紫微公司”）推出的T150 A-光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。该产品“对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异”。

𐟔妎⧴⧔𕦄Ÿ耦合等离子体（ICP）𐟔 ICP，这个神秘又酷炫的名词，其实是一种超棒的激发源！𐟒᥽“它与检测器相连，就能进行元素含量的深度分析啦！𐟧ꤸ同的检测器，检测限也各不相同哦，比如ICP-MS能轻松达到ppt级，而ICP-OES也能达到ppm级。𐟘‰择哪种检测器，完全取决于你的样品浓度范围呢！不仅如此，ICP在半导体制造的干法刻蚀工艺中也是大放异彩！𐟒𜥦‚果你正准备面试半导体公司，那对ICP的了解可是必不可少的哦！𐟌Ÿ 快来一起探索电感耦合等离子体的奥秘吧！𐟚€

【「中国科学院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展」】「中国科学院大学超话」针对GAA内侧墙结构Si/SiGe叠层横向选择性刻蚀工艺面临的形貌缺陷和均匀性问题,微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰高级工程师、南方科技大学王中锐教授、维也纳工业大学Lado Filipovic教授合作,通过提出全新的Ge原子解吸附和扩散的模拟算法,建立了基于蒙特卡洛方法的连续两步干法刻蚀工艺轮廓仿真模型,实现了针对Si/SiGe六叠层结构的横向选择性刻蚀工艺轮廓仿真,并完成了相应结构的流片实验。中国科学院微电子所在先进工艺仿真方向取得重...

博世半导体：从防抱死系统到MEMS传感器博世在半导体领域的旅程始于上世纪70年代。1970年代，博世开始生产二极管、晶体管和IC等半导体组件，正式涉足半导体制造。1978年，博世凭借其在数字电子元件领域的专业知识，推出了ABS防抱死制动系统，成为汽车领域的技术标准。 1995年，博世开始大规模生产首款用于发动机管理的压力MEMS传感器。此后，博世开发了可测量加速度、旋转、压力和声音的众多MEMS传感器，并广泛应用于消费领域。在MEMS工艺领域中，有一个非常著名的“Bosch工艺”。Bosch工艺是一种在半导体制造中广泛使用的技术。它采用了独特的脉冲模式，包括刻蚀阶段和钝化阶段的交替进行。Bosch工艺是一种等离子体增强化学刻蚀技术，也被称为反应离子刻蚀，是深硅刻蚀工艺的一种。同时，博世也在半导体生产方面取得了显著成就。德累斯顿晶圆厂：总投资额达到约10亿欧，于2021年6月正式开业，是一个高度自动化、完全联网的工业4.0工厂。罗伊特林根半导体中心：生产6inch和8inch晶圆。2021年底起就在罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅SiC芯片。这些芯片被广泛应用于电动和混动汽车。此外，博世计划进一步扩大该厂产能。

光刻工艺在芯片制造中的关键作用 𐟌 光刻工艺在芯片制造中起着至关重要的作用，它决定了集成电路图形的精度，进而影响芯片的性能、功耗和良率。以下是光刻工艺的详细步骤：曝光 𐟌ž 将涂有光刻胶的硅片放入光刻机中，通过掩模版上的图形对光刻胶进行选择性曝光。曝光光源通常为紫外光，曝光时间需精确控制以确保图形转移的准确性。现代光刻机采用步进扫描技术，能够实现高分辨率和高精度的图形曝光。涂胶 𐟧𔊠 在清洗后的硅片表面均匀涂上一层光刻胶。光刻胶是一种光敏性材料，能够在特定波长的光照射下发生化学反应。涂胶过程需要控制厚度和均匀性，以确保曝光后的图形精度。前烘 𐟔加涂胶后的硅片需要进行前烘处理，以去除溶剂并使光刻胶达到理想的粘度和硬度。前烘温度和时间需精确控制，以避免光刻胶变形或开裂。显影 𐟌ˆ 曝光后的硅片进入显影液中进行显影，未曝光的光刻胶被溶解，暴露出硅片表面。显影过程需要控制显影液的浓度、温度和时间，以确保图形清晰度和完整性。显影后还需进行后烘处理，以增强光刻胶的强度和稳定性。刻蚀 ⚙️ 对于需要保留光刻胶的区域，进行刻蚀工艺以去除暴露出的硅片材料。刻蚀可以采用干法刻蚀或湿法刻蚀，具体选择取决于材料和图形要求。刻蚀过程中需精确控制刻蚀深度和均匀性，以确保图形的准确性。去除光刻胶 𐟧𜊠 完成刻蚀后，使用溶剂或氧等离子体去除剩余的光刻胶。去除过程需彻底且均匀，以避免残留物影响芯片性能。表面处理 ✨ 最后，对硅片进行必要的表面处理，如清洗、退火等，以提高芯片的性能和可靠性。通过这些步骤，光刻工艺在芯片制造中起到了决定性的作用，确保了集成电路图形的精度和芯片的质量。

董事长寄语中微公司聚焦高端半导体及泛半导体设备,刻蚀及薄膜等产品研发不断创新突破,经营业绩再创新历史新高。2024年前三季度公司营业收入同比增长36.27%达到55.07亿元,新增订单76.4亿元,同比增长约52.0%;前三季度付运1514台反应台,产值约94.19亿元,同比增长约287%。半导体设备市场机会巨大,随着市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长,公司今年持续加大研发投入,目前在研项目涵盖六大类设备、20多种新设备。公司根据技术发展及客户需求,大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证,目前针对逻辑和存储芯片制造中关键刻蚀工艺的多款设备在客户产线上验证推进顺利并陆续取得批量订单;薄膜沉积设备已有多款新型设备产品进入市场,其中部分设备已获得重复性订单,其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进,LPCVD设备今年实现了首台销售,前三季度新增订单3亿元;公司积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场,并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得良好进展,几款已付运和即将付运的MOCVD新产品正在陆续进入市场。攀登勇者,志在巅峰,中微公司将继续瞄准世界科技前沿,持续贯彻执行“四个十大”,坚持三维发展和外延生长战略,实现高速、稳定、健康和安全的发展，在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备和高科技领先企业! 中微公司董事长兼总经理尹志尧