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跨导gm公式权威发布_低频跨导gm和什么有关(2024年12月精准访谈)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：观点更新日期：2024-12-04

跨导gm公式

2024年TMTT宽带低噪放大器亮点解析 𐟓… 2024年，即使是一个简单的结构也能在Trans上发表。这篇文章介绍了一种0.1–20.1GHz的宽带噪声消除CMOS低噪放大器（LNA），其亮点在于利用跨导增强（gm-boosting）技术来消除共栅管的噪声。 𐟔砨𗨥Ｅ➥𜺦”𞥤祙詇‡用了电流复用结构，使得M1的噪声被有效消除，而跨导增强放大器的噪声则占据主导地位。尽管这种结构在消除噪声方面不如刘哲2021年的结构优秀，但它确实有其独特之处。 𐟓 两个电感的使用提升了带宽：一个电感串联在信号路径上（L2），另一个电感并联在信号路径上（L1）。这种结构不仅提升了带宽，还展示了M3和M4的三大优势：跨导增强降低功耗、消除M1噪声、提升增益。 𐟓 总的来说，这篇文章通过明确阐述M3和M4的好处，展示了其在宽带LNA设计中的独特价值。尽管结构本身并不复杂，但它在消除噪声和提升性能方面确实有所创新。

无源混频器设计：从理论到实践 𐟓š 上交周剑军教授推荐的一篇经典阅读材料。 𐟔砃MOS工艺中的1/f噪声问题一直是个难题。无源混频器因其无DC电流的特性，成为解决这一问题的理想选择。其整体架构包括Gm+无源混频器+跨阻放大器（TIA）。然而，无源混频器的噪声系数（NF）并不理想，原因有两个：一是损耗，二是TIA的噪声放大。 𐟔 TIA的噪声放大与电阻比例平方成正比，分母是混频器的输出阻抗，这与Gm的输出电容大小有关。本文的创新点在于在混频器之前加入电阻，这相当于给主要的寄生电容串联了一个阻抗，增大了分母，从而减小了TIA的输出噪声。这种做法在许多文献中都有提及，包括2021年Ali Niknejad组发表的JSSC文章。然而，这种设计会降低增益，因此需要Gm单元的输出阻抗足够大，输出寄生电容足够小，以达到折中的效果。 𐟓ˆ 此外，加入电阻还有助于提高IIP2性能。上述2021年的JSSC文章指出，IIP3性能也有所提升。IIP2性能差主要是由于开关电阻失配，但通过串联电阻Rdeg，Gm看到的总电阻变为Rdeg+Ron。通过增大电阻面积，Rdeg可以认为是匹配的，从而减小了整体失配比例，最终IIP2在不校准的情况下可以达到60dBm以上。 𐟎蠦œ즖‡有两个亮点：一是图1的建模方法，二是图2中的Gm单元设计，采用了电容交叉耦合、电流复用以及背栅技术，将等效跨导提高到原来的三倍，充分利用了资源。 𐟏�🙦˜恵˜通公司的研究成果，具有一定的实践意义。虽然创新点简单，但非常有效。

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