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iedm最新视觉报道_iedm发表的难度(2024年11月全程跟踪)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：热点更新日期：2024-11-30

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台积电将于12月9日在IEEE的IEDM 2024（国际电子器件会议）上展示其2nm CMOS（N2）逻辑平台，专为 AI、移动和 HPC 应用中的节能计算而设计。由台积电研发/平台开发副总裁Geoffry Yeap介绍

𐟐全民优生活羊奶粉：真的值得买吗？𐟤” 最近，家附近开了一家全民优生活店，专门销售乳铁蛋白羊奶粉。附近的老年朋友们都纷纷购买，我妈妈也一下子买了15罐，这得吃到什么时候啊？有需要的朋友可以联系我，成本价出，300元一罐，单卖价是513元哦！ 𐟓𘥛𞧉‡中的文字信息：第一张图片：全民优生活乳铁蛋白调制乳粉 LATOFRNMODIEDM F 酵母净含量 2克第二张图片：全民优生活乳铁蛋白调制乳粉 LACTOFERRIN MODIFED MILK POWDER 净含量：120克 (2克㗶0) 年中开门红折后价￥513，优惠前￥563，每300元减50元，已售100+件，热卖中！

芯片三巨头齐聚IEDM，共探CFET未来在芯片行业的舞台上，英特尔、三星和台积电这三大巨头，最近在国际电子器件会议（IEDM）上共同发表演讲，揭示了他们对一种新型3D器件架构——互补场效应晶体管（CFET）的浓厚兴趣。𐟓ˆ CMOS技术专家Naoto Horiguchi透露，这三家芯片制造商首次在同一平台上展示他们的最新研究成果，预示着CFET架构在未来十年内可能实现商业化。𐟏† Horiguchi解释说：“这次是‘三巨头’首次在同一会议上公布他们的发现。这标志着行业的一个重要转折点。”𐟔„ 在CFET时代来临之前，芯片行业将经历几代纳米片架构的演变，以及SRAM等CMOS组件尺寸缩小停滞的问题。IMEC（全球研发组织）在2016年左右提出了CFET概念，并指出缩小规模的停滞将迫使高性能计算芯片的设计者分解SRAM等CMOS功能，并采用将旧技术节点和小芯片拼接在一起的解决方法。𐟛 ️ Horiguchi补充道：“一些传统技术，如模拟或I/O，可能需要通过不同的方案进行集成。例如，使用小芯片技术集成模拟或I/O。至少部分逻辑和SRAM可以通过使用CFET架构进行扩展。这是我们目前的期望。”𐟌Ÿ 随着技术的不断进步，CFET架构有望成为解决当前纳米片技术缩放问题的关键。尽管面临挑战，但三大芯片制造商的联手探索无疑为行业的未来发展指明了方向。𐟌

佳能将在 IEDM 展示新型传感器技术佳能将在 IEDM（国际电子器件会议）上展示其最新开发的图像传感器技术。这次会议将包括 6 篇论文，详细介绍图像传感器领域的最新进展。佳能将推出新型扭曲光电二极管 CIS 结构，像素间距为 6 ⵭，实现全方位自动对焦，具有高速、高精度和 95 dB 的动态范围（DR）。这种扭曲光电二极管采用双层石墨烯/硅混合波导，使其更加高效且响应时间非常快。三星电子的 Lee 在第一篇论文中描述了一种 0.5 ⵭ 像素、3 层堆叠的 CMOS 图像传感器（CIS），采用像素内 Cu-Cu 接合技术，具有改进的转换增益和噪声。接下来的两篇论文介绍了电压域全局快门（VDGS）CIS 的新成果。Omnivision 的高提出了一种 2.2 ⵭ – 2 层堆叠高动态范围 VDGS CIS，具有 1㗲共享结构，可提供双转换增益并实现低 FPN。意法半导体的 Malinge 则提出了一种使用深沟槽电容器的 2.16 ⵭ 6T BSI VDGS CIS，并使用空间分割曝光实现 90 dB 动态范围。 Meta 的 Berkovich 提出了一种 2 兆像素（4.23 ⵭ 像素间距）的图像传感器，提供块并行 A/D 架构，并具有可编程稀疏捕获和细粒度门控方案，以实现节能。佳能的 Shirahige 在下一篇论文中介绍了一种新的扭曲光电二极管 CIS 结构，像素间距为 6 ⵭，可实现全方位自动对焦，具有高速、高精度和 95 dB DR。最后，上海交通大学的 Shan 展示了一种 64㗶4 像素的有机成像仪原型，该原型基于新颖的无空穴传输层（HTL）结构，实现了最高记录的低光性能。这些技术展示了图像传感器领域的最新进展和创新，值得期待。

【Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术】Kioxia Corporation 是全球存储器解决方案的领导者，公司今日宣布，其研究论文已被 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 2024 接受发表。IEDM 2024 是享誉全球的国际盛会，将于 12 月 7 日至 11 日在美国旧金山举行。网页链接

集成电路科研辅导，待遇优厚，欢迎加入！嘿，集成电路界的小伙伴们，有没有在为科研论文发愁的？这里有个机会，或许能帮到你们！我们正在寻找一些在集成电路方向上有经验的老师，要求不高，但待遇绝对让你心动。 𐟌Ÿ 岗位要求：方向：集成电路（学历不限）成果：以一作身份发表至少1篇ISSCC、IEDM或VLSI的论文 𐟒ᠤ𘺤𛀤𙈩€‰择我们？时间灵活：线上远程辅导，随时随地都能开始待遇优厚：多劳多得，收入稳定机会均等：无论你是刚入行还是经验丰富，都有机会参与 𐟓š 为什么要求发论文？集成电路方向的研究，发表高质量论文是一个重要的衡量标准。虽然要求看起来有点高，但这也是为了保证教学质量和师资水平。毕竟，只有优秀的老师才能带出优秀的学生嘛！ 𐟓 联系方式：如果你对这份工作感兴趣，欢迎随时联系我！我们会认真审核你的资料，一旦符合要求，就会立刻联系你。期待你的加入！快来加入我们吧，一起在集成电路的道路上奋斗！𐟚€

今天的「60秒芯闻」，这是我们的一个金牌栏目，网友评论这是半导体里的”参考消息“！每日精选半导体业界新闻，点击链接可以查看详细内容！「张国斌的芯思考」「张国斌的芯发布」 1 问界M8外观渲染图曝光：环形灯带上车前脸与问界M9大不同 2 阿里巴巴花30亿“破财消灾”：否认存在任何不当行为 3 Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术 4 JLL GPT China正式上线中国内地 -- 专为商业地产打造的生成式人工智能 5 大联大诠鼎集团推出基于联咏科技和思特威产品的AOV摄像头方案 6 天合光能第27次创造世界纪录，n型TOPCon太阳电池效率实现新突破 7 广汽集团与奥动新能源展开会谈，全面深化换电战略合作 8 IBM 扩展 IBM Consulting Advantage 功能，帮助客户最大化AI投资回报率 9 Lenovo (联想)推出定制化合作伙伴旅程，通过 Lenovo 360 满足渠道不断变化的需求 10 LTIMindtree推出由ServiceNow支持的“AI智能核保”解决方案 11 德州仪器 (TI) 全新可编程逻辑产品系列助力工程师在数分钟内完成从概念到原型设计的整个过程 12 IBM 推出 Granite 3.0：专为企业打造的高性能AI模型 13 恩智浦发布S32J系列安全以太网交换机支持可扩展汽车网络，拓展CoreRide平台 14 英飞凌推出新型PSoC™汽车多点触控控制器，为OLED和超大屏幕提供卓越的触控性能 15 瑞萨推出全新RX261/RX260 MCU产品群，具备卓越能效、先进触控功能及强大安全特性 16 Vishay推出通过AEC-Q102认证，负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器 17 思特威推出超星光级系列4MP图像传感器SC485SL 18 艾为电子推出新一代高线性度GNSS低噪声放大器——AW15745DNR 19 UltiMaker推出MakerBot Sketch Sprint，提升课堂3D打印能力 20 Advanced Energy推出1300 W, 28 V大功率密度半砖直流转直流转换器，其采用数字控制设计，效率极高【60秒芯闻】问界M8外观渲染图曝光：环形灯带...

台积电2nm推进，26年量产芯片制造领域的最新动态显示，台积电的2nm工艺布局正在稳步推进。𐟏� 𙦍ˆ息，新竹宝山厂计划在2024年第二季度开始移机，并预计在2025年第四季度实现量产。𐟓… 与此同时，高雄厂也将从2025年第三季度开始进行移机，目标是在同年底开始试生产，并计划在2026年实现量产。𐟏튊业界传闻指出，新竹宝山厂2nm工艺的初期月产能预计约为3万片，而高雄厂则将引入采用背面供电技术的N2P（2nm增强版）制程，初期月产能同样约为3万片。𐟔犊台积电在之前的法说会上透露，他们在N2研发中取得了背面配电线路（backside power rail）解决方案的突破，这种设计特别适合高性能计算（HPC）应用。𐟒𛠩ℨ🙧獨𐆤𝿩€Ÿ度提升10%至12%，逻辑密度提升10%至15%。台积电的目标是在2025年下半年向客户推出这种背面配电线路，并在2026年实现量产。在前沿技术方面，台积电在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上透露了1.4nm级制造技术的开发进展，并将其命名为“A14”。𐟔젨䇤𞛥𚔩“𞥈†析认为，未来1.4nm技术更有可能落户高雄厂。

准备出国参加学术会议啦！𐟎‰ 大家好，最近有个特别棒的消息要和大家分享！我终于收到了美签，准备出国参加学术会议啦！𐟎‰ 签证办理过程 11月1日，我去了领事馆进行面签，结果被check了。当天下午，领馆就发来了邮件，要求我提交一些材料。11月13日，领馆再次通知我去交护照。11月17日，网站状态显示为approved。没想到速度这么快，看来离拿到护照又近了一步！𐟘„ 个人背景我是微电子专业的，之前有过一次B签和一次J1签的经历。这次准备出国参加学术会议，心里还是有点小激动的。虽然今年复旦IEDM挂了个“零”，但当年被拒绝的交大学子们依然会在biography中带上复旦的名字，哈哈！𐟘Ž 会议准备最近终于把会议的汇报材料搞定了，还顺便查了一下同一个session的其他speaker的biography。哇塞，看到TSMC的高级工程师、IBM研究院的成员、三星电子的首席工程师，还有中科院微电子所的博士后们，感觉自己压力山大啊！𐟘… 期待与挑战不过，既然来了，就要好好表现自己。虽然我的学术水平还没达到那些大佬们的水平，但我会尽力把汇报做好。希望大家也能多多支持我！𐟒ꊊ这次出国参加学术会议对我来说是一次难得的机会，希望我能借此机会学到更多知识，回来后能更好地为学术界做出贡献！𐟓š✨

【「IEDM将展示CFET在5nm和7埃米方面取得的成果」】「台积电(TSM)超话」今年12月，「台积电」、「IMEC」、「IBM」和「三星」的研究人员将在旧金山举行的国际电子元件大会（IEDM）上报告垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）的进展。台积电代工厂的S. Liao等工程师发表了一篇论文《首次演示48nm栅极间距单片CFET反相器，面向未来逻辑技术扩展》，介绍了在48nm栅极间距上制造的全功能单片CFET反相器的性能。48nm栅极间距大致相当于5nm工艺。IEDM将展示CFET在5nm和7埃米方面取得的成果

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