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晶圆级封装前沿信息_晶圆级封装详细流程(2024年12月实时热点)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：教程更新日期：2024-11-30

晶圆级封装

台积电计划于2027年推出革命性的CoWoS封装技术，引发业界广泛关注。近日，台积电在欧洲开放创新平台论坛上宣布，计划在2027年推出超大尺寸版晶圆级封装技术。这一技术的核心在于将光罩尺寸提升至目前的9倍，达到7722平方毫米，并支持12HBM4内存堆叠。「总裁君互联网科技说」该技术的推出将极大提升芯片功能和信号传输能力，适用于AI和机器学习等需要处理大量数据的场景。台积电自2016年推出初代CoWoS封装方案以来，已逐步将其光罩尺寸从1.5倍提升至3.3倍，并支持8个HBM3堆栈。未来，台积电还将在2025至2026年期间，将CoWoS发展至5.5倍光罩尺寸，最多可容纳12个HBM4内存堆栈。 CoWoS技术的持续进步将为高性能计算和人工智能领域提供强大的支持，推动相关应用的发展和创新。总裁语录的微博视频

晶圆级封装全流程详解：从起步到完成晶圆级封装（WLP）是一种在晶圆制造过程中直接进行封装的技术。与传统的封装方法不同，WLP采用半导体制造工艺，并在切割晶圆成单个芯片之前，在整个晶圆上进行封装。以下是WLP的基本工艺流程：晶圆准备（Fab-out Wafer）𐟏튨🙦˜秊𔤸ꥰ装过程的起点。首先，需要一个已经完成制造并形成电路结构的晶圆。在晶圆表面覆盖一层钝化层（Passivation Layer），以保护电路不受外界湿气和化学物质的影响。薄膜沉积与厚光刻胶涂覆（Thin Film Deposition & TPR Coating）𐟔犥œ詒化层上沉积一层金属薄膜，通常是Ti、Cu、Cr或Au，作为电镀的金属种子层。然后，在金属薄膜上涂覆一层厚光刻胶并曝光显影，打开特定区域，有些部位则被光刻胶覆盖。铜电镀（Cu Electroplating）𐟛 ️ 通过电镀工艺在已经图形化的光刻胶上电镀铜层。这一步形成较厚的RDL（重布线层），将PAD上的信号引出。光刻胶去除与薄膜蚀刻（TPR Strip & Thin Film Etching）𐟔銧绩™䨦†盖在不需要电镀的地方的光刻胶，暴露出下面的金属层。然后，蚀刻掉未被光刻胶保护的金属薄膜部分，一般采用湿法刻蚀。介电层涂覆（Dielectric Coating）𐟛᯸ 在已经形成的金属结构上涂覆一层介电材料，如氧化硅或PI等，以隔离金属层并保护它们不受外界环境的影响。锡球安装（Ball Mounting）𐟔銥œ褻‹电层上的特定位置安装焊球。锡球用于实现芯片到电路板的电气连接。通过以上步骤，晶圆级封装过程完成，为芯片的最终生产和测试打下基础。

台积电台积电计划2027年推出全新CoWoS封装技术，光罩尺寸将提升9倍。近日，台积电在欧洲开放创新平台论坛上宣布，计划在2027年推出超大尺寸的晶圆级封装技术。这一技术的核心在于光罩尺寸的显著提升，预计将达到现有尺寸的9倍，为芯粒和内存提供高达7722平方毫米的空间。此外，该技术还将支持多达12个HBM4内存堆叠，极大提升了芯片的性能和集成度。 CoWoS技术是台积电近年来推出的重要封装解决方案，旨在满足高性能计算和人工智能领域对芯片性能的高要求。随着科技的快速发展，对计算能力的需求日益增加，台积电通过扩展光罩尺寸，旨在增加更多芯片功能和更快的信号传输能力，以满足市场需求。据悉，台积电在2016年推出的初代CoWoS封装方案仅支持约1.5倍光罩尺寸，而目前已提升至3.3倍，并计划在未来几年内逐步提升至5.5倍和最终的9倍。

半导体产业的新机遇：键合设备的崛起 𐟚€ 集成电路行业在摩尔定律的指引下，一直保持着高速发展的势头。晶体管的特征尺寸从90nm缩小到7nm，但随着尺寸的减小，量子效应和短沟道效应变得越来越显著，导致漏电流增加，限制了晶体管的进一步缩小。因此，按照摩尔定律的方式，通过缩小晶体管特征尺寸来提升集成电路性能、降低功耗变得越发困难。晶体管将会快速地接近约5nm的极限栅极长度，因此探索新的沟道材料和器件结构是推动IC产业继续发展的两条极为重要的路线。 3D、晶圆级等先进封装是超越摩尔定律的一个重要研究方向。以3D集成封装为例，通过垂直于晶圆或芯片平面方向上进行堆叠，集成电路技术由二维平面向三维方向发展。该技术分段实现，首先实现几层的3D堆叠，随着时间的推移，堆叠芯片层数将会不断增加。采用全新结构的3D集成是推动半导体行业发展的重要技术，诸如存储器、逻辑器件、传感器和处理器等不同类型的器件和软件的复杂集成，以及新材料和先进的芯片堆叠技术，都要基于3D集成技术。由于最新一代的光刻机的延迟交货和功率限制的综合影响，制造商无法进一步缩小器件尺寸，垂直堆叠芯片设备（含三维集成技术）正成为大势所趋。芯片堆叠封装存在着4项挑战，分别为晶圆级对准精度、键合完整性、晶圆减薄与均匀性控制以及层内（层间）互联。随着摩尔定律逼近材料与器件的物理极限，源于微机电系统（Micro Electro Mechanical Systems，MEMS）制造技术的晶圆级封装键合技术逐渐进入集成电路制造领域，成为实现存储器、逻辑器件、射频器件等部件的三维堆叠同质/异质集成，进而提升器件性能和功能，降低系统功耗、尺寸与制造成本的重要技术途径。因此，英特尔、三星、华为、高通、罗姆、台积电等知名企业及众多高校、科研院所均围绕晶圆级封装键合开展了设备、器件、工艺的研究。

大摩--台湾之行关于AI半导体供应链发现我们认为，2025年的AI半导体收入将由供应情况决定，特别是由于台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate，晶圆级系统级封装）产能紧张。到了2026年，市场可能会达到供需平衡，这也是为什么台积电目前尚未明确其2026年的CoWoS产能规划，因为现在预测未来的需求还为时过早。在最近的亚太峰会期间，我们进行了实地调研，以解答投资者关于AI半导体供应链的关键疑问。以下是我们的主要发现：台积电（TSMC）2026年CoWoS产能是否延期？台积电尚未公布2026年超过90K WPM（晶圆每月产出量）的CoWoS产能具体预测。我们预计，由于台积电的洁净室空间有限，只会有小规模的设备供应时间表发生变动。我们仍然预测，2025年台积电将有约80K WPM的CoWoS产能投入运营。然而，洁净室空间并非衡量台积电CoWoS产能的最佳指标。我们预计，2025年中期将是台积电根据市场可持续性向设备供应商下达2026年订单的时候。日月光（ASE）是否获得英伟达CoW外包业务？我们的行业调查显示，英伟达可能会尝试将Blackwell的CoW外包给日月光，尽管与台积电相比，这种外包在2025年前的CoW产能中所占比例较小。因此，我们不认为日月光的CoW业务是第二选择，而更像是一次能力展示。我们维持对日月光的“持有”评级，并关注Blackwell的非CoW外包机会。 Blackwell出货量至KYEC（京元电子）：我们维持Blackwell出货量将达到300K单位的预测（2024年为218K芯片产出），而市场普遍预期为200K-250K单位。我们仍然预计，Blackwell在2025年的出货量将达到预订目标。新的Advantest测试机从3个月的交货期延长至6个月，这反映了强劲的市场需求。我们注意到，Blackwell（或Hopper）和MIBS 2.0都需要高级测试设备。 ALPC芯片：CPU的更新应能实现“通话功能”，我们预计这可能会引发一轮IPC（智能个人计算机）的替换周期。我们坚持之前的观点，即联发科和Vivo可能在即将到来的CES（国际消费类电子产品展览会）上推出基于台积电3纳米工艺节点和Ambar CoWoS封装技术的ALPC芯片。我们的渠道调查显示，这些ALPC芯片可能会在2025年第二季度开始量产。

晶方科技：＞先进封装+光刻机+汽车芯片，公司主营业务是传感器领域的封装测试业务。主要产品为芯片封装、芯片测试、芯片设计等，公司是中国大陆首家、全球第二大能为影像传感芯片提供WL⭃⭓P最产服务的专业封测服务商。公司下属荷兰AN⭔⭅⭒⭙⭏N公司服务国际领先光刻机厂商，部分产品运用于光刻机部件。＞公司是晶圆级TSV先进封装技术的领先者，拥有完整的8英寸和12英寸的封装技术与规模量产能力。公司主要客户为芯片设计公司,华为等厂家为公司封装芯片的终端用户之一。 TSV, 微凸点，硅基转接板,异构集成技术等是HBM集成应用中使用的一系列关键技术,公司专注于晶圆级TSV等相关先进封装技术,目前正在积极关注HBM相关技术。公司具有多样化的玻璃加工技术,包括制作微结构，光学结构,镀膜，通孔，盲孔等,且公司自主开发的玻璃基板,在Fa⭮⭯⭵t等封装工艺上已有多年量产经验。＞公司专注高端封装，CM⭏S影像传感器晶圆级封装技术领先。近年来不断通过外延并购实现了业务布局的扩张。深度绑定全球优质CIS客户,客户集中度较高。涵盖SO⭎Y、豪威科技、格科微、思特威等全球知名传感器设计企业。高研发推动技术创新，专注先进封装毛利率行业领先。利元亨: ＞固态电池+清陶能源+锂电池，公司是国内领先的锂电设备供应商，以消费锂电起家,切入动力锂电领域，与比亚迪、蜂巢能源、国轩高科、宁德时代等头部客户建立了稳定合作关系的公司具备氢燃料电池整线智造解决方案，拥有成熟的浆料制备、涂布、封装、检测等工艺技术,能够实现全自动连续化生产。＞公司与清陶能源建立了战略合作关系并共建联合实验室,进行新工艺、新产品共同研究、开发。截至目前，公司为清陶能源陆续提供了化成分容、激光焊接、激光模分-体机、电芯装配线等设备,主要设备已完成交付,部分已验收完成。此外,公司与国轩高科建立稳定的合作关系。目前，公司已为相关客户提供固态电池领域的单机整线设备。＞公司在光伏设备方面已有光伏组件自动化产线、全自动超快无损切片机、PE⭒C激光开槽设备等机型。公司与全球领先的PVD镀膜设备商德国冯阿登纳签署战略合作协议,双方将在光伏、储能领域展开深度合作。公司钙钛矿激光类设备已在客户验证中。储能方面，公司已与阿特斯、楚能新能源等储能领域公司合作，并开拓了远景动力等。

长电科技：晶圆级封装为主的先进封装已达满产状态 e公司讯，今日，长电科技董秘吴宏鲲在2024年第三季度业绩说明会上介绍，第三季度公司收入创单季度历史新高，公司积极推动新产品及满足重点客户的订单需求，总体产能利用率保持高位，相比第二季度继续稳步提升。不同工厂因为面向下游应用不同，走势有所分化，晶圆级封装为主的先进封装及高端测试领域，已经达到满产状态，公司正在积极扩产满足客户持续增长的需求，而传统封装复苏较弱。预计Q4产能利用率继续维持当前水平，但产品结构有所变化。

【DELO 推出用于扇出型晶圆级封装的紫外线工艺】减少翘曲和芯片偏移网页链接「张国斌的芯发布」

先进封装，电镀市场将破10亿！半导体材料市场咨询公司TECHCET最新预测显示，金属电镀化学品市场将在2024年迎来显著增长，销售额有望突破10亿美元大关。2023年，这一市场的销售额为9.47亿美元，较2022年下降了6%。然而，从2023年到2028年，该市场的复合平均增长率预计将超过5.4%，预示着一个显著的跃升。推动这一增长的主要因素是先进封装技术的广泛应用，如重新布线层（RDL）和铜柱结构，以及埋入式电源轨和背面铜布线等。TECHCET预计，2024年第一季度，半导体器件产量将继续缓慢增长。然而，到了2024年下半年，随着电动汽车、快速充电站等应用的增长，器件需求预计将大幅增加，这将进一步推动对金属互连层和更先进封装材料的需求。晶圆级封装的增长继续推动先进封装需求。在高性能器件的先进封装中，对RDL和中介层的需求不断增加。异构集成、EMIB、小芯片和功率器件预计将在沉积材料的质量方面挑战电镀要求。总的来说，随着先进封装技术的不断发展和应用领域的扩展，金属电镀化学品市场将迎来一个充满机遇的未来。

15只被认为具有高度重组潜力的A股科技股，以下列举其中的4只。 1. 麦克奥迪麦克奥迪预计将重组亦庄半导体，该公司在半导体领域有显著的投资成就，手握三大光刻机国家队资产，是其唯一上市平台，具有强烈的资产注入预期。 2. 宏辉果蔬宏辉果蔬预计将重组瑞钼特，瑞钼特是国家专精特新小巨人企业，其产品广泛应用于医疗器械、电子半导体、军事等领域。 3. 澳柯玛澳柯玛预计将重组芯恩，目前总市值51亿，控股股东为澳柯玛集团，实控人为青岛国资委，澳柯玛控股集团合计持有芯恩（青岛）集成电路有限公司72.1%以上的股权。 4. 文一科技文一科技预计重组合肥国资科技资产，文一科技是一家老牌半导体封测专业设备供应商，正在研发满足先进封装（晶圆级封装）用模具和设备，有望通过此次重组进一步提升公司在半导体设备领域的竞争力。