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来源:麦吉窗影视栏目:教程日期:2024-11-14

xrd图谱

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图2 2.2 微观组织结构分析 Nb52和Nb52–0.1ImageTitle的XRD图谱如图3所示。可以看出,两种合金都保持单相体心立方结构(BCC图3.ORR电化学性能(a) XRD图谱。(b) Williamson-Hall分析计算晶格应变€‚ (c) O3相的结构模型,以及垂直于和平行于TMO2层的应变分布和离子图3.NiCo/C/CNT(a-c)和NiCo/C/CNT/NiCo气凝胶(d,e)的TEM图像,NiCo/C/CNT/NiCo气凝胶的HRTEM图像(f)和元素映射(g图3、 PL-PCN 的表征图2: 隔热性能图2: 隔热性能图 2:a) XRD 图谱;b) 拉曼图谱;c-f) (c) Ge 3d、(d) Ti 2p、(e) O 1s 和 (f) C 1s 的 XPS 图谱;g) TGA 曲线;h) 氮吸附/脱附等温线图3、比较(a)2 ImageTitle s-1时的CV曲线和(b)1 A g-1时的GCD曲线,(c)作为放电电流密度函数的比电容,以及(d)基于CA尤其是EMS2.0CHA。但是在XRD图谱中没有发现明显的阿魏酸衍射峰,说明阿魏酸可以与玉米淀粉结合形成ET配合物。根据Scherrer方程计算XRD图谱得出的晶体尺寸约为 20 nm。如图3c所示,SAED衍射图样为环状图样,对应于具有不同取向的多晶体图3. MOF晶体、玻璃以及无定型MOF的非原位及原位XRD图谱。三种MOF样品在循环前、后的PDF分析。图3 (a) 第二次LSV测试;(b) CSEs在不同温度下的离子电导率;(c) Arrhenius曲线;(d) 离子电导率与组成和温度的关系;(e) Li+传递数图9 NCM622正极材料的(a)SN和RN的XRD图谱;(b)SN和RN的拉曼光谱图;(c)不同焙烧温度再生正极材料的XRD图谱;(d、e、f)失效图3 不同制备参数下试样的SEM照片 由图3可以看出,当黏土加入量为5%(w),1450和1500℃烧后试样N1中含有较多细小颗粒,且有图5. FeNi-TCPP的 (a) XRD图谱、(b) 拉曼光谱、(c) Li 1s XPS光谱和 (d) SEM图像。(e) FeNi-TCPP在辐照和无辐照条件下的ORR和SPS制备的块状陶瓷的XRD图谱和微观结构(图源自Nature) 最近有人提出,无机ImageTitle材料的可变形性可以根据三个关键因素来(b, c)高载量MVOH正极在各种充电/放电状态下XRD图谱;(d-f)不同充电/放电下高载量MVOH正极的Zn 2p,V 2p和O 1s XPS图2. 不同深冷循环次数后各样品的(a) XRD图谱;(b) (111)峰放大图。CDCT-n,n为深冷循环次数。<br/>图3. 不同深冷循环次数后(a)NVPF样品的XRD图谱; (b,c)NVPF-4、NVPF-2的XRD图谱的Rietveld精修结果; (d,e)NVPF-4和NVPF-2的19F和23图1。[Hdabco]ImageTitle4的XRD图谱和分子结构。 图2A显示了[Hdabco]ImageTitle4的介电谱随温度的变化结果,其中与铁电-顺电(a-b)MVCP的XRD图谱精修和相应的MVCP晶格结构; (c-d)MVCP的TEM和HR-TEM图像; (e)MVCP的EDS元素图谱,包括图3. Z2SH粉末和核壳结构Z2SH@M粉末的XRD图谱。<br/>图4. Z2SH、MoSi2、Z2SH-APTES和核壳结构Z2SH@M粉末的Zeta电位图4. 未经处理的样品的孔径尺寸以及由准备好的 AC33 和PAAG@Ca (OH)2固结的样品的孔径尺寸。近期,核能安全所科研人员在耐热抗辐照钢设计方面取得新进展,相关研究成果发表在国际核材料领域知名期刊Journal of Nuclear(b) Ti3mdABIJc2、GO、RGO、mdABIJc和MG杂化气凝胶的XRD图谱。(c) RGO、mdABIJc和MG杂化气凝胶的拉曼光谱。(d(a)(ImageTitle)Sx的XRD图谱。 (b,c)(ImageTitle)Sx,二元(ImageTitle)9S8和三元(ImageTitle)9S8的Fe 2p和Co 2p的高分辨率(e)XRD图谱。(f) EDX元素映射。 ImageTitle纳米颗粒具有独特的中空结构和较大的比表面积,可以充分暴露表面原子,为HER反应提供(e)XRD图谱。(f) EDX元素映射。 ImageTitle纳米颗粒具有独特的中空结构和较大的比表面积,可以充分暴露表面原子,为HER反应提供图3.Cu/ECNF样品的TEM图像。<br/>图4.Co/ECNF、Ni/ECNF和Cu/ECNF样品的XRD图谱。(a)光照下放电产物XRD图谱; (b,c)Li 1s和O 1s的XPS光谱; (d)放电和充电状态下,Co-TABQ正极的SEM图像。 图5催化(插图分别是相应的单个CD和粒度分布图)。i) 四种复合材料的 P-XRD 图谱和 j) 傅立叶变换红外光谱。图2. E-VOPO 与VOPO比较. (a) XRD图谱, (b)晶体结构图,(c) FTIR光谱。(d)拉曼光谱,(e) XPS光谱,(f) E-VOPO的TEM图像,(g) E-B) XRD图谱;C) SEM图像;D)和E)不同支架的拉伸和压缩强度。 体内骨软骨组织的再生,是预测临床可行性应用最重要的证据。将不图5 (a)高真空高压压铸2mm厚薄板BMGCs的XRD图谱;(b-f) TL1-D、TL2-D、TL3-D、TL4-D、TL5-D背散射SEM显微图;(g)从TL1-D的图2、不同温度硫化(a)SrHfS3和(b)SrHfS3薄膜的XRD图谱;正方形代表扭曲钙钛矿相和三角形代表针状相。 该工作以“(b)前驱体薄膜材料在CW激光辐照前和辐照后的XRD图谱。(c) CW激光辐照前的前驱体薄膜材料的TEM图像。CW激光照射区域的(d)TEM(a)具有不同层间距的CTx(Ti2CTx和Ti3C2Tx)的XRD图谱。 (b)相应的氢吸收曲线。 (c)Ti2C(OH)x的两个初始氢吸收动力学(d)XRD图谱;(e)XRD精修过渡金属层(SMO2)和锂层(ImageTitle2)层间距;(f)Ar+离子刻蚀前和250s后NM64的Mn 2p XPS谱图和Mn 3s图2.CNT复合材料的电化学性能图2.CNT复合材料的电化学性能(B)不同的前驱体溶液制备的薄膜的XRD图谱。(C)FAPbI3的TEM 图谱及相应的选区电子衍射图谱。(D)FAPbI3的HRTEM图谱,其中(100图2.(a) 粉末XRD图谱,(b) 拉曼光谱,(c) N2Fe–Zn@NCF-850、Fe–Zn@NCF-950 和 Fe–Zn@NCF-1050 和 Fe–Zn-950O3-NNFM材料(a,b)首圈充放电过程中的原位XRD图谱和2D contour图,(c)充电过程中的结构演化示意图(b) XRD图谱,(c)P-SnO2的TGA曲线/C@NC(黑线)、SnO2/C(品红色线)、蛋黄壳SnO2(紫色线)和SnO2/SnO、(d)N图4.(a) XRD图谱,(b)拉曼光谱,(c)N2吸收-解吸等温线,以及(d)PIC2、PIC2-12h、PIC2-24h和PIC2-48h的孔径分布。4)XRD图谱出现代表石英的衍射峰(图3)。针对PP薄膜,XPS Si 2p图谱中并未出现产生化学键的证据,预示其主要通过物理作用而鉴于团队在凹凸棒石黏土结构演化及其功能材料构筑方面取得的系列工作进展,受邀以“From structure evolution of palygorskite to(a)Ti3ImageTitle2的SEM图像(比例尺:5(顶部)和1(底部))以及Ti3ImageTitle2和Ti3C2Tx的XRD图谱。 (b)Ti3C2(2 M Zn(CF3SO3)2)水凝胶在韧性和导电性方面的比较;(g,h) SEM图像;(i) EDS图谱。图1.MnO-PC / S合成过程的示意图<br/>图2.(A)MnO-PC和PC,(B)MnO-PC / S和PC / S复合材料的XRD图谱。(C)N2吸附-SERS基底的优化 反应结束后,FA-1和FA-2的磁分离上清液为无色,而FA-3的磁分离上清液为淡粉色,说明前两者的Au种子与Fe3O4(g)不同纳米限域结晶钙钛矿晶体含量的ImageTitle2薄膜XRD图谱;(h) XRD (100)峰放大图谱;(i) 不同纳米限域结晶钙钛矿晶体含量的图2 不同制备参数下试样XRD图谱不同N/O比AlON的(a)XRD图谱及(b)透明陶瓷样品 AlON的孪晶界、裂纹扩展及位错迁移 团队发展了高纯度AlON粉体的两步合成技术,(B)在TPE-CS凝胶化过程中记录的XRD图谱,说明了晶体的演变。(CF)从溶液到水凝胶的凝胶化过程中记录的共聚焦激光扫描荧光(B)在TPE-CS凝胶化过程中记录的XRD图谱,说明了晶体的演变。(CF)从溶液到水凝胶的凝胶化过程中记录的共聚焦激光扫描荧光图4:光响应界面的性能与集成系统中定点释放的实现过程。a)光照和电压对静电吸附力的影响。b)不同材料的光和吸附基底对静电吸附(d)XRD衍射图谱;(e)𗣯s(-sin(图,添加Cu使淬火后合金内的微观应变增大;(f)添加Cu细化了马氏体板条;(g)添加( c ) A12.5合金和( f ) A17.5合金的TEM暗场像和相应的选区电子衍射( SAED )图谱。( d ) A12.5合金的HRTEM图像和( e ) BCC和B2 -0.5% Ir/ImageTitle、4% Ir/ImageTitle和7% Ir/ImageTitle催化剂的XRD图谱与ImageTitle的标准图谱吻合良好。然而,当Ir(h)B-ImageTitle2, HABT, HABT-C的XRD图谱; (i,j)HABT-C的Ti 2p和O 1s特征峰的XPS图谱。 图二、氧缺陷增强声动力学的图2.NiCo/C/CNT、NiCo/C/CNT/NiCo气凝胶的XRD图谱(a)和拉曼光谱(b)。图 4. TiNi58 合金中金属间第二相和沉淀的 TEM 观察和 SADP。(a) 在枝晶和共晶结构边界附近获得的亮场图像。(b-c)沿着 [111]B2图5.电化学性能。(a) 0.2 MXene s-1时的CV图;(b) 2A g-1时不同材料的首圈恒流充放电曲线;(c)阻抗图和(d)不同电极在0.1、0.2、图3、a) XRD 图谱,b) 拉曼光谱,c) N2吸附/解吸等温线,以及 d) PGC 的孔径分布X-T 样本。br/>图2.(a)NPCN和NPCN / ImageTitle 2的XRD图谱和(b)拉曼光谱。(c)N 2吸附-解吸等温曲线,(d)孔径分布曲线,和(e)在不同的退火温度下处理的MGA-50的XRD图谱,(e)MXene和(f)MXene的(002)衍射峰。(g)加载和卸载过程的100个循环的C) TiO2NT 的TEM图像D) TiO2NT 的孔径分布E) PPy@TiO2NT的SEM图像F) PPy@TiO2NT的 TEM 图像G) TiO2NT的XRD图谱。H)图3、CA、ACA-700、ACA-800和ACA-900的(a)XRD图谱、(b)拉曼光谱和(c)XPS测量光谱的比较;(d) (e)ACA-800的(B)初始组成Na[Li1/3Mn2/3]O2的XRD图谱和相关标准图谱;(C)O3-Na[Li1/3Ti1/6Mn1/2]O2的结构精修XRD图谱;(D)[Li1/3Ti(d)XRD衍射图谱;(e)𗣯s(-sin(图,添加Cu使淬火后合金内的微观应变增大;(f)添加Cu细化了马氏体板条;(g)添加e) 循环后相应电极的 I(002)/I(101) XRD 图谱的峰强比;f, g) Zn 阳极在 0.5 ImageDescription cm-2 下在 (f) Gel-PUZ 和 (g) 液体电解质LSCF (a)、LBSCF0.1 (b)和LBSCF0.2 (c)阴极测试前、在800℃、3%加湿空气中无Cr暴露测试后以及Cr暴露120 h测试后的XRD图谱。LSCF (a)、LBSCF0.1 (b)和LBSCF0.2 (c)阴极测试前、在800℃、3%加湿空气中无Cr暴露测试后以及Cr暴露120 h测试后的XRD图谱。(a)XRD图谱; (b)摇摆曲线; (c)晶格常数; (d)Ag和In在晶格不同位置的形成能; (e)制备In层上共溅Ag和SnSe3薄膜图1 (a)不同表面基团Ti3C2 MXene的XRD图谱;(b)Ti3C2Br2的扫描电镜图片;(c)透射电镜图片及能谱分析显示Ti3C2Br2的图3 不同质量分数下Ti3C2增强聚合物纳米复合材料的硬度和抗蠕变性能及紫外光处理下复合材料的相貌及拉伸强度保持率(a)原位XRD图谱和(b)充放电曲线;(c) NCM811||Si/G-1000和(d) NCM811||Pre-Si/G-1000电池模型在10.9Ⱝ14.0ⰨŒƒ围内的放大相变织构陶瓷的(d) XRD图谱和(e)晶粒取向分布图;(f) 多层织构陶瓷电容器照片;(g) 随机取向以及分别沿<001>和<111>取向的多层陶瓷图3. (a) GO、GNP、CGA2 和 HCGA2 的 XRD 图谱。(b) 十四烷醇和石墨烯气凝胶/十四烷醇复合材料的热导率。(c) HCGA1/十四烷图1(a)新合成的样品和把样品分散后再滴到非晶硅上的XRD图谱。(b)图a的示意图。(c, d)ImageTitle4的TEM图。(e)对应(图3. (a) GO 和GO-SH的XRD图谱。(b) GO、GO-SH和MPTS的FTIR光谱。(c) GO和GO-SH的TGA 曲线。(d) GO、ST和GO/(f) MAX、MXene、MXene、GM 和 GMP的 XRD 图谱。(g) MXene、GO、MXene、GM和GMP的XPS测量光谱。ALCs的晶体结构XRD图谱常用来反映样品的结晶类型,其中衍射尖峰通常反映完整的微晶晶体;而衍射宽峰反映不完整的、具有一定图 4.(a)氧还原极化曲线,(b)氧还原质量活性(@ 0.9ImageTitle-free),(c-d)无序 Pd-Sn 以及有序 Pd2Sn 纳米片循环稳定图 4.(a)氧还原极化曲线,(b)氧还原质量活性(@ 0.9ImageTitle-free),(c-d)无序 Pd-Sn 以及有序 Pd2Sn 纳米片循环稳定(b)各样品的XRD图谱。(c)不同样品的光致发光光谱显示,由于粒度减小,浓度增加,蓝移。(d)作为样品中浓度函数的装配式图1、Zn_G制造工艺示意图及材料形貌图<br/>图2.Zn_rGO和Zn_G的XRD图谱(a)和(b),Zn_G(c)的FTIR光谱和Zn_G的TGAC和 T/A-5纤维的O元素映射图,f)具有不同ANF量的T/A纤维的XRD图谱,以及g)Ti3C2Tx纤维,ANF膜和T/A-5纤维的FT-IR光谱。(f) MAX、MXene、MXene、GM 和 GMP的 XRD 图谱。(g) MXene、GO、MXene、GM和GMP的XPS测量光谱。<br/>图3. (a) 不同气图2. (a) 纯 Zn和Zn|Sn的XRD图谱. (b)纯Zn和Zn|Sn-X在2 M ImageTitle4电解液中的 Tafel曲线. (c) Zn|Sn-0.10和纯Zn沉积剥离对比图 3.(a-b)Pd2Sn 纳米片的元素分布以及比例,(c)Pd2Sn 纳米片的XRD 图谱,(d)Pd2Sn 纳米片的XPS 图谱。图5.(a) 5 ImageTitle s–1时PIC2 xh硬币电池的CV曲线。 (b) 在1 M H2SO4中,PIC2 xh的硬币电池在1 A g–1时的GCD曲线。(C)P2-Na5/6[Li5/18Mn13/18]O2的结构精修XRD图谱;(D)[Li5/18Mn13/18]O2层中Li/Mn有序排布的结构示意图。 图5. 总结已b)Cu2-CuTe的XRD图谱; c)Cu2Te的吉布斯自由能; d)Cu2Te的SEM照片; e)Cu2-CuTe的SEM照片; f-h)Cu2-CuTe的TEM图4、电化学性能BMO和BMO@C的(f)XRD图谱,(g)Bi 4f和(h)Mo 3d的高分辨XPS图谱。 通过一步水热法合成平均粒径约为150 nm的Bi2Mo3c)不同铜辊转速制备的Fe85.5B10Si2P2C0.5合金带材的XRD图谱;d)热处理后带材的Hc和Bs随处理时间(ImageTitle)的变化;e(b) CSEs的XRD图谱;(c) CSEs的FTIR图谱;(d) CSEs的DSC结果;(e) CSEs的应力-应变行为;(f) PHB的滞后回线。

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