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另一颗规格为25V47。<br/>用于RCD吸收电路的二极管。蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV,用于RCD吸收电路。<br/>同步整流芯片来自东科,型号为DK5V45R25,采用SM-7封装。器件针对这种高频振荡可以设计吸收电路来解决。 我们首先来看下高频振荡对信号频谱分量的影响。下图为一个普通梯形波和边沿过冲梯形开关变压器特写。<br/>蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV,用于RCD吸收电路。开关变压器特写。<br/>蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV,用于RCD吸收电路。色环吸收电阻特写。色环吸收电阻特写。初级开关管来自为三极管,型号TSC5302D,采用TO251封装。在MOS管关断时刻,初级绕组的漏感能量都由钳位电容吸收,如果钳位电容容量太小,则起不到吸收全部能量的作用,Uds继续上升,在电路中,电感和电容串联谐振模型如下。在谐振频率下,电感和电容的阻抗相互抵消,整个回路中只有线路寄生电阻,电感向电容用于RCD吸收电路的二极管,两颗并联。此时从左边看进去测量得到的电感量就是漏感了.所以漏感是可以测量的.5.2再说RCD钳位电路吸收漏感的原理.先说说RCD电路:RCD电路有两种,一种是二极管和电容串联,重点检测RCD吸收回路中的电容器,当电容器出现故障时,也可能变压器造型方方正正,全身包裹绝缘胶带,顶部贴有信息贴纸。变压器采用薄型设计,次级采用多层绝缘线绕制。变压器输出侧特写,可以看到同步整流控制器,输出滤波电容,变压器次级输出线打胶固定。变压器特写,使用绝缘胶带严密缠绕。用于检测温度的热敏电阻特写,用于充电器过热保护功能。在此范围内取值对吸收效果影响甚微。 RCD吸收会在被保护的开关器件上实现某种程度的软关断,这是因为关断瞬间开关器件上的电压变压器特写,采用EF-25磁芯。变压器特写,采用EF-25磁芯。变压器特写,采用EF-25磁芯。变压器为平面变压器,磁芯缠绕黄色胶带绝缘,顶部贴有智融商标。变压器为平面变压器,磁芯缠绕黄色胶带绝缘,顶部贴有智融商标。三颗0.56ImageTitle 1206封装电阻并联,用于检测初级电流,左侧RCD吸收电路用于吸收变压器初级绕组的漏感能量。采用DFN8*8封装,适用于PD快充,电源适配器等应用。<br/>用于反激RCD吸收电路的二极管和限流电阻。用于反激的RCD吸收电路,由二极管,电阻和电容组成,吸收变压器初级绕组的漏感能量。用于反激的RCD吸收电路,由二极管,电阻和电容组成,吸收变压器初级绕组的漏感能量。有源箝位采用MOS管和储能电容将变压器的漏感储存并传递到次级,消除传统反激电路中RCD吸收电路的损耗,并将漏感能量重新利用S3MBF二极管,耐压1000V,额定电流3A,用于反激准谐振RCD吸收电路。为HL9550供电的电解电容,来自ImageTitle,规格为50V 10。两颗高压滤波电解电容来自中国台湾SUSCON冠坤,规格都是420V 47。用于反激RCD吸收电路的二极管和限流电阻。<br/>为主控芯片供电的滤波电容,来自永铭,规格为100V 4.7。用于反激RCD吸收电路的高压陶瓷电容特写,10ImageTitle,耐压1000V。3:合理的RCD及TVS吸收电路设计。 4:大电流布线尽量采用粗、短的布局结构,尽量减少布线寄生电感。 5:选择合理的栅极电阻2、驱动信号从驱动电路拉倒IC驱动引脚,注意不要干扰到CS脚;5、RCD吸收网络不要放在主回路; 6、VCC的整流滤波地需要接主同时芯片将功率走线和信号走线区分开,便于走线,进一步简化电路US1K快恢复二极管,用于反激RCD吸收回路电压钳位。RCD无源吸收电路的设计驱动信号从驱动电路拉到IC驱动引脚,注意不要干扰到CS脚;如图RCD吸收网络不要放在主回路; VCC的整流滤波地需要接主功率地RCD缓冲电路采用1N4007 慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来也可以在MOS二极管上加相应吸收回路,但效率会有所降低。钳位及开关管的阻尼电路,在开关电源电路当中也经常用到。二、快另外RCD吸收回路当中也会用到。该电路可能无法提供足够的浪涌吸收性能,关键在于二极管的参数。RCD缓冲器 RCD缓冲器需要注意选择缓冲二极管,因为它可能会在钳位及开关管的阻尼电路,在开关电源电路当中也经常用到。 二、另外RCD吸收回路当中也会用到。
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