当前位置：网站首页 » 热点 » 内容详情

刻蚀工艺最新视觉报道_刻蚀工艺的目的(2024年11月全程跟踪)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：热点更新日期：2024-11-26

刻蚀工艺

公司暴涨150%！设备验证顺最近有个上市公司的三季度净利润同比增长超过了150%，真是让人眼前一亮！这家公司针对最关键的刻蚀工艺研发的多款设备已经在客户产线上进行验证了，进展非常顺利。更值得一提的是，他们的多款ICP设备在先进逻辑芯片、DRAM和3DNAND产线上也取得了批量订单。展望未来，浙商证券研报认为，高端存储及先进逻辑客户的扩产确定性很高，国产设备的国产化率提升斜率也有望超预期，这将带动国产设备订单的继续增长。根据SEM的预测，预计2024、2025年中国大陆的晶圆产能（折合8英寸）将同比增长15%和14%，而全球晶圆产能也将分别增长6%和7%。在半导体设备板块中，中国的表现尤为亮眼。2024年二季度，全球半导体设备销售额达到了268亿元，同比增长了4%；而中国大陆的半导体设备销售额则达到了122亿美元，同比增长了62%，占据了全球市场的46%。目前，半导体设备板块的估值还比较低，未来还有很大的扩张空间。这家公司也不甘示弱，他们的新产品LPCVD设备已经实现了首台销售，多款新型薄膜沉积设备产品也已经进入市场。其中一些设备已经获得了重复性订单，而其他多个关键薄膜沉积设备的研发项目也在顺利推进中。更令人惊喜的是，他们的钨系列薄膜沉积产品可以覆盖存储器件的所有钨应用，并且已经完成了多家逻辑和存储客户的验证，取得了客户订单。此外，公司还规划了多款CVD和ALD设备，增加了薄膜设备的覆盖率。在关键刻蚀工艺方面，这家公司也是下足了功夫。他们自主开发的PrimoUD-RIE设备已经在生产线上验证出具有260:1深宽比结构的量产能力。多款ICP设备在先进逻辑芯片、先进DRAM和3DNAND产线上验证推进顺利并陆续取得批量订单。晶圆边缘Bevel刻蚀设备也已经完成开发，即将进入客户验证阶段。TSV硅通孔刻蚀设备则更多应用在先进封装和MEMS器件生产中。总的来说，这家公司在半导体设备和存储芯片领域的表现非常出色，未来前景一片光明。如果你对这方面感兴趣，不妨关注一下这家公司，看看他们的更多动态吧！

〇国产光刻胶通过量产验证半导体领域需求快速增长 ———————— 近日，武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列，在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，对后道刻蚀工艺表现更为友好。随着全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展，驱动了半导体制造对光刻胶的需求增长。开源证券表示，在KrF光刻胶方面，随着3D NAND堆叠层数迅速增加，对光刻胶的使用量将大幅提升。预计至2024年底，我国将建立32座大型晶圆厂，且全部锁定成熟制程，光刻胶总体需求量增速将快速复苏。 $彤程新材(sh603650)$ 上半年导入多款高分辨KrF、ArF光刻胶(含干式和浸润式)和BARC底部抗反射涂层等产品陆续通过客户认证，其中ArF光刻胶已开始形成销售; $雅克科技(sz002409)$ 的OCPS光刻胶产线建设完成，产品正在客户端导入测试。「A股超话」「财经」

10月10日晚间，中巨芯发布公告，宣布其参股子公司晶恒希道（上海）科技有限公司拟以现金方式收购Heraeus Conamic UK Limited（以下简称“标的公司”）100%股权。标的公司是一家位于英国的半导体高纯石英材料制造商，专注于为全球半导体和光学行业提供天然熔融石英和合成熔融石英等产品。这些材料广泛应用于半导体刻蚀工艺及光学应用中。标的公司凭借其销售网络服务于欧洲、美国、日本等全球市场的半导体设备厂商。业内分析师指出，标的公司与中巨芯在下游市场有一定重叠，此次收购将有助于中巨芯通过标的公司现有的销售渠道，加速拓展国际市场，尤其是在高端半导体材料领域的布局。尽管标的公司在高纯石英材料领域具备优势，但其近两年的营业收入和利润均出现下滑。 2022年和2023年，标的公司分别实现营业收入3320.9万英镑和1802.8万英镑，税息折旧及摊销前利润（EBITDA）则分别为113.2万英镑和-348.9万英镑。本次收购的股权价款预估在1351万英镑至1410万英镑之间，增值率为负66.9%至负61.37%，最终金额将根据交割审计结果进行修正。中巨芯坦言，未来的经营过程中仍将面临宏观经济、市场竞争及政策变化等不确定性风险，本次交易的最终完成还需通过中国相关部门的审查批准。

𐟔妎⧴⧔𕦄Ÿ耦合等离子体（ICP）𐟔 ICP，这个神秘又酷炫的名词，其实是一种超棒的激发源！𐟒᥽“它与检测器相连，就能进行元素含量的深度分析啦！𐟧ꤸ同的检测器，检测限也各不相同哦，比如ICP-MS能轻松达到ppt级，而ICP-OES也能达到ppm级。𐟘‰择哪种检测器，完全取决于你的样品浓度范围呢！不仅如此，ICP在半导体制造的干法刻蚀工艺中也是大放异彩！𐟒𜥦‚果你正准备面试半导体公司，那对ICP的了解可是必不可少的哦！𐟌Ÿ 快来一起探索电感耦合等离子体的奥秘吧！𐟚€

【国产光刻胶重磅突破！】据东湖国家自主创新示范区官网10月15日消息，近日武汉太紫微光电科技有限公司（下称“太紫微公司”）推出的T150 A-光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。该产品“对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异”。

𐟧 等离子体刻蚀工艺揭秘 𐟔 𐟒ᠥŠ导体制造工艺中，等离子体刻蚀是一项关键技术。 𐟔젩€š过导入气体，设置电场，对电极施加射频功率，使其放电，电子与气体分子碰撞产生离子与活性自由基，形成等离子体。 𐟒堧퉧滥퐤𝓤𘎨⫥ˆ𛨚€材料相互作用，实现各向异性刻蚀，精确控制晶圆表面形状。 𐟛᯸ 侧保护技术则能有效抑制横向刻蚀，保护光刻胶等敏感材料。 ✨ 掌握等离子体刻蚀工艺，是半导体行业不可或缺的一环！

硅通孔（Through silicon via, TSV）互连结构在先进封装领域中是最为普遍的结构。TSV技术是指在硅介质层上开孔并填充导体﹐以实现介质层上下方垂直互连的技术。TSV结合微凸点，可在三维方向上获得最大的堆叠密度及最小的外形尺寸，通过硅通孔的垂直电气互连以实现更小的互连长度、降低信号延迟以及减小电容和电感，显著提升系统性能，降低系统功耗，是继引线键合和倒装芯片之后的第三代封装互连技术。深孔刻蚀是TSV的关键工艺，目前通孔方法主要有Bosch刻蚀、激光钻孔和湿法刻蚀三种，其中Bosch刻蚀是首选技术。Bosch刻蚀是一种典型的深反应离子刻蚀(Deep reactive ion etching, DRIE)工艺，分为刻蚀和钝化两个循环周期，通常选择ICP刻蚀设备。ICP刻蚀设备通过特设计的双等离子体源实现对腔室内等离子体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求。

𐟔奛𝤺禜€先进DUV光刻机揭秘𐟔 𐟎‰好消息来啦！国产最先进的光刻机已经正式官宣了！这款DUV光刻机不仅技术先进，而且性能卓越，绝对让你眼前一亮！𐟌Ÿ 𐟒ᨯ奅‰刻机采用先进的DUV光源，波长达到193nm，分辨率高达65nm，套刻精度更是达到了8nm！这样的指标，在国产光刻机中可是佼佼者哦！𐟑 𐟌ˆ此外，这款光刻机还配备了高能离子注入机，能量范围广泛，能量纯度高，为芯片制造提供强大的支持。同时，还有等离子干法刻蚀机，工艺节点等于或优于28nm，关键层刻蚀更加精准。𐟔犊𐟚€总的来说，这款国产DUV光刻机在技术指标和性能方面都表现出色，绝对值得期待！让我们一起见证国产科技的崛起吧！𐟒ꀀ