当前位置：网站首页 » 热点 » 内容详情

死区时间最新视觉报道_死区时间计算公式(2024年12月全程跟踪)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：热点更新日期：2024-12-02

死区时间

电源波形振铃问题解决方案详解 𐟌𑣀现象解析】在电源波形的尖峰过高时，会产生高频的剧烈电流变化，这会导致电磁干扰（EMI）问题。如果尖峰过高，可能会击穿内部开关管。振荡尖锋通常怀疑是LC阻尼振荡引起的。 𐟔‹【概念介绍】以DC-DC的buck电路为例，sw信号在芯片内部直接连接两个mos管，上管连接到电源，下管连接到地。 𐟔【问题根源】当两个管子处于半导通态时，回路电阻增大，功率电感无法续流。那么在转换期间，电感电流主要从下管的体二极管流过。由于体二极管的导通电压较高，可以选用肖特基二极管并联在SW和GND之间，以提高整体效率。这是解决死区时间的方法；但是尖峰振铃问题呢？ 𐟛 ️【解决方案】在输入端增加阻容吸收电路，防止浪涌在输出端增加滤波电路在mos管脚处增加磁珠 𐟌【PCB布局建议】减小mos管的寄生电感是减小振铃的关键。在PCB布局时，注意减小寄生电感。

半桥驱动电路中加入死区的原因主要是为了保护电路免受损坏。在半桥驱动电路中，上下管的开通和关断需要精确控制，以确保电机或其他负载的安全和稳定运行。死区时间的设置可以避免两个半桥管同时导通，从而防止电源短路或其他电气故障。具体来说，当上半桥管关闭后，通过一个短暂的延迟再开启下半桥管，或者在下半桥管关闭后，也有一个延迟时间再开启上半桥管，这样的设计就是所谓的“死区”。这个延迟时间虽然会减少输出的纹波，但更重要的是它起到了保护电路的作用，防止由于控制信号的瞬时变化导致的功率元件损坏。因此，加入死区是半桥驱动电路中的一个重要设计特性，它有助于确保电路的可靠性和安全性。

在电子领域中，慢开快关技术通常不是直接用来避免上下管（如MOSFET或IGBT等功率器件）同时导通的方法。避免上下管同时导通的关键在于确保控制信号的合理设计，通常通过设置死区时间来实现。死区时间是在一个功率器件完全关断后，再允许另一个功率器件开通之前的一段等待时间。这样可以确保在任何时刻，上下管不会同时处于导通状态，从而防止短路的发生。这种技术广泛应用于PWM（脉宽调制）控制的电机驱动、开关电源等领域。因此，虽然慢开快关技术本身可能涉及对开关速度的控制，但它并不是直接用来解决上下管同时导通问题的。避免上下管同时导通的关键在于控制信号的设计，特别是死区时间的设置。

JSM2308STR 700V集成自举高低侧功率半桥驱动芯片 JSM2308S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2308S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平JSM2308S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。JSM2308S采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。产品特性：集成自举二极管最高工作电压为+700 V 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑 dVs/dt 耐受能力可达Ⱶ0 V/ns Vs 负偏压能力达-9V 集成 VCC 欠压锁定电路 --欠压锁定正向阈值 8.9V --欠压锁定负向阈值 8.2V 芯片传输延时特性 --开通/关断传输延时 Ton/Toff=130ns/130ns --延迟匹配时间 50ns 防止直通保护 --死区时间 540ns 宽温度范围-40℃~125℃ 输出级拉电流/灌电流能力 300mA/600mA 符合 RoSH 标准 SOP-8(S) 应用范围：电机控制；空调/洗衣机；通用逆变器；逆变器驱动 #芯片# #电子元器件# #驱动芯片# #华强北#

死区时间 Deadtime-电影推荐网页链接网页链接

MMC换流器模型推导：从非线性到解析解以前写过一篇关于MMC精确建模的笔记，虽然大体上是正确的，但只是停留在了非线性方程的列写上，没有去解这些方程。这次结合徐政老师的书，进一步阐述如何解这组方程。首先，明确一下解的条件：交流网侧电压、直流侧电压以及调制波。简单来说，一个普通的无源二端口模型需要知道两个定解条件，才能求出剩余的量；而MMC加入了控制部分，所以需要再加一个调制相关的定解条件。我们的变量可以分为三类：直流电流、交流电流（包括桥臂电流和电压）、子模块电容电流和电压（包括各开关管电压和电流）。为了方便理解，我把这些量总结为两类：宏观外部变量（交/直流输出电流，桥臂总电压和电流）和微观内部变量（子模块电容电压和电流）。方程的分类描述内部微观变量的方程：这些方程基于开关函数，是非线性的。由于开关函数与电容投切算法有关，所以我们假设同一臂上的模块电容电压相同，这样可以转化为平均开关法。从内部表征桥臂电压和电流的关系。描述外部宏观变量的方程：这些方程一般转化为差模共模方程，从外部表征桥臂电压和电流的关系。方程求解如果直接求解，由于内部微观方程非线性，你只能数值求解。所以，我们采用逐步逼近的“解析解”迭代方法。假设桥臂电压的解析表达式已知（宏观量，实时触发，理想阶梯波），由此可以利用外部方程求出宏观电流。假设电容电压无波动得出开关函数；宏观电流和平均开关函数得出电容电流，电容电流积分为电容电压（含波动），乘平均开关函数再叠加得出新的宏观电压解析表达式。新的桥臂电压考虑了电容电压的波动，更精确。由此，反复迭代可以提高精确程度。模型的前提假设同桥臂电容电压实时均压相同；忽略开关死区时间；实时触发，控制器频率无限大；三角基波标准三相对称。结论得出各内外部变量的时域解析解。（其中：相间环流主要谐波是二倍频成分。）说明开关函数和投切电容算法有关；但是平均开关函数和投切电容算法无关，仅和调制策略有关。一般根据差模设计有功无功控制器，共模设计环流抑制器。总结建模思路明确前提和假设；明确变量个数和定解条件（初始条件和边界条件）；明确方程个数（确定方程是独立充分的）；明确方程求解方法；明确解的意义及适用范围。通过这些步骤，我们可以更深入地理解MMC换流器的建模过程，从而更好地设计和优化系统。

半桥与H桥电路：驱动与调速的关键在电子电路中，半桥和H桥电路是两种常见的驱动方式，它们在电机控制中发挥着重要作用。𐟔Œ 半桥电路：基础与结构半桥电路由两个MOS管组成，是H桥电路的基础单元。每个MOS管控制电机的正反转状态，通过切换MOS管的导通和截止来实现。𐟛 ️ H桥电路：双半桥的组合两个半桥电路组合在一起，就形成了一个完整的H桥电路。这个电路可以控制直流电机的正反转，是电机驱动中非常关键的部分。𐟔„ 刹车与调速：实际应用刹车功能在H桥电路中尤为重要。当需要停止电机时，通过改变MOS管的导通状态，可以有效阻碍电流，从而实现快速刹车。𐟚抨𐃩€Ÿ功能则通过改变输入信号的占空比来实现。占空比越大，电机速度越快；占空比越小，电机速度越慢。这种调节方式在电机控制中非常灵活。𐟔犦�Œ𚤸Ž上下管导通在实际应用中，为了避免上下两路信号同时导通，通常会加入死区时间。死区时间是指在上升和下降之间插入一小段平顶区间，以避免上下两管同时导通。𐟕’ 结论半桥和H桥电路是电机驱动中的关键技术，它们通过控制MOS管的导通和截止来实现电机的正反转和调速。在实际应用中，合理设计这些电路可以大大提高电机的性能和可靠性。𐟛⯸

LZC3106A：LLC开关电源芯片 LZC3106A 是一款专为 LLC 半桥谐振电路设计的高性能、高精度双端控制器。它提供 50% 的互补占空比，确保高压侧和低压侧开关在相同时间内以 180Ⱐ反相方式导通/关断。通过调节系统工作频率，控制器实现对输出电压的调制和稳定。这款芯片采用了一种新颖的 MOSFET 零电压检测方法，在两路 MOSFET 的关断和导通之间插入自适应死区时间，保证了系统软开关、低 EMI 和高效率。为了防止启动期间的输出电压过冲，LZC3106A 提供了用户可设的软启动过程，使开关频率从设定的最大值开始启动，再逐渐衰减到由环路控制的稳态谐振频率点，避免了启动时失控的冲击电流。 LZC3106A 还提供了空载或轻载下的可编程突发工作模式控制，可最小化磁化电流损耗和频率相关损耗。输出电流随温度升高而降低的温度折返功能可以保持系统在高温环境下继续工作。此外，LZC3106A 还提供了用户可选的前级 PFC 控制器接口，以实现 PFC 控制器的同步控制。这款控制器高度集成，采用 SOP16 封装，简化了系统设计。内部振荡器支持从 40kHz 到 400kHz 的开关频率。LZC3106A 提供完整的系统保护功能，包括电容模式检测，线电压欠压保护，VCC 欠压锁定，VCC 过压保护，负载过流保护，输出过压保护和过温保护。

H桥电路驱动设计必须要有死区的原因主要有以下几点：防止短路：在H桥电路中，上下桥臂的开关管需要交替导通和截止，以实现电流的正反向流动。然而，由于开关管的导通和截止时间不可避免地存在一定的延迟，如果上下桥臂同时导通，就会导致短路，从而损坏电路或设备。保护电路：死区时间的设置可以避免因开关管同时导通而产生的短路电流，从而保护电路中的其他元件不受损害。这对于提高电路的可靠性和稳定性至关重要。提高控制精度：通过精确设置死区时间，可以确保H桥电路在切换状态时更加平稳，减少因开关管切换过快而产生的电磁干扰和噪声，从而提高电路的控制精度和性能。在实际应用中，死区时间的设置需要根据具体的电路参数和应用场景进行调整。例如，对于大功率电机驱动等应用，需要设置较短的死区时间以提高系统的响应速度和效率；而对于一些对控制精度要求较高的应用，则需要通过精确调整死区时间来确保系统的稳定性和可靠性。此外，随着技术的发展，现代H桥电路驱动设计中通常采用先进的控制算法和硬件保护措施来进一步提高电路的性能和可靠性。这些措施包括但不限于软件死区补偿、硬件保护电路等，以确保电路在复杂工况下仍能稳定可靠地工作。

Xbox手柄固件更新指南：你知道吗？你知道吗？Xbox手柄也可以进行软件更新！特别是那些喜欢玩《地平线》或者单机游戏的朋友们，你们的手柄可能已经用得很频繁了。不过，很多人可能不知道，这个手柄也是可以进行软件更新的。你只需要从微软商店下载一个软件就可以了。如何更新Xbox手柄固件？下载软件：首先，打开微软商店，搜索并下载“Xbox Accessories”应用。这个应用可以帮你管理你的Xbox手柄。连接手柄：打开应用后，用数据线将手柄连接到电脑上。开始更新：在应用中选择“更新”选项，然后按照提示进行操作。更新过程中，保持手柄静止不动并打开。更新进度：更新过程中，你会看到进度条显示“正在应用更新”，大约需要77%的时间。更新完成后：更新完成后，你的手柄将获得最新的功能和修复。 Xbox Accessories应用的功能重新映射按钮：你可以重新映射手柄上的按钮，让游戏体验更加个性化。交换摇杆和扳机键：这个功能让你在游戏中可以更灵活地操作。配置控制器振动：你可以根据游戏需求调整控制器的振动强度。保存多个配置文件：对于那些喜欢在不同游戏之间切换的玩家，这个功能非常实用。其他功能：你还可以调整Xbox按钮的亮度，重命名控制器，以及调整扳机键的死区。结语通过这些简单的步骤，你就可以轻松更新你的Xbox手柄固件，享受更流畅的游戏体验。下次再玩游戏时，不妨试试这些新功能，让你的游戏体验更加完美！

专栏内容推荐

1112 x 917 · png
IGBT最小死区时间计算_igbt死区时间-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
950 x 486 · jpeg
PWM死区的简单介绍 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com

363 x 176 · png
MOS管死区时间的分析,设置详解
素材来自:ejiguan.cn
1216 x 508 · png
同步BUCK死区时间产生电路原理及仿真_死区时间生成-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net

800 x 503 · png
STM32F407高级定时器-死区时间研究-STM32CubeMX_用高级定时器做死区-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
541 x 433 · jpeg
全桥硬开关死区时间里出现高低平台是什么原因呢？-电源网
素材来自:dianyuan.com

806 x 486 · jpeg
SVPWM分析-第二部分实战 - 知乎
素材来自:zhuanlan.zhihu.com
444 x 292 · jpeg
死区时间生成电路、方法以及开关电路与流程
素材来自:xjishu.com

1000 x 742 · gif
一种PWM的死区时间调节电路的制作方法
素材来自:xjishu.com
1000 x 459 · gif
D类功放实现死区时间自适应功能的电路结构的制作方法
素材来自:xjishu.com

1000 x 558 · gif
一种带有死区时间控制的全GaN集成栅驱动电路
素材来自:xjishu.com

1000 x 404 · gif
一种IGBT死区时间的优化方法与流程
素材来自:xjishu.com

1000 x 429 · gif
一种自适应死区电路及包含该自适应死区电路的驱动电路的制作方法
素材来自:xjishu.com

1000 x 552 · gif
一种延时时间可控的死区时间产生方法及电路与流程
素材来自:xjishu.com

1258 x 1184 · jpeg
死区时间的计算方法、装置、电子设备及存储介质与流程
素材来自:xjishu.com
1198 x 1684 · png
一种 IGBT 变频器死区时间的补偿策略_word文档在线阅读与下载_无忧文档
素材来自:51wendang.com

1621 x 864 · jpeg
一种硬件死区电路和带有硬件死区电路的控制系统-爱企查
素材来自:aiqicha.baidu.com

383 x 209 · png
死区4个状态分析，以及死区时间计算-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
975 x 657 · png
一款数字电源控制器的PWM死区时间设置内涵_电源_电路_半导体_电力_电子_UM_理论_科普_控制_Origin-仿真秀干货文章
素材来自:fangzhenxiu.com

1477 x 1786 · jpeg
桥臂死区时间补偿方法及电机输出占空比捕获电路与流程
素材来自:xjishu.com
1440 x 1080 · png
IR2104死区时间异常，引起mos管空载发热-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net

500 x 259 · gif
电力开关中不可缺少的死区时间发生电路,技术信息 - 达普IC芯片交易网
素材来自:ic72.com

584 x 770 · gif
一种适用于死区时间控制的负压检测电路的制作方法
素材来自:xjishu.com
1275 x 1037 · jpeg
一种用于马达驱动自适应死区时间控制的电压检测电路的制作方法_2
素材来自:xjishu.com

530 x 654 · png
STM32死区计算和配置_stm32 死区-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
650 x 390 · jpeg
何为死区时间？如何去计算死区时间？ - 电磁兼容(EMC)设计与整改 - 电子技术论坛 - 广受欢迎的专业电子论坛!
素材来自:bbs.elecfans.com

738 x 584 · png
IGBT最小死区时间计算_igbt死区时间-CSDN博客
素材来自:blog.csdn.net
443 x 314 · jpeg
一种可调死区时间电路
素材来自:xjishu.com

700 x 446 · jpeg
使用互补 PWM、击穿和死区时间的 H 桥直流电机控制-控制电路-维库电子市场网
素材来自:dzsc.com
804 x 1000 · gif
零死区时间控制电路的制作方法
素材来自:xjishu.com

443 x 257 · jpeg
一种IGBT的死区时间测试方法和装置与流程
素材来自:xjishu.com
1000 x 711 · gif
一种全GaN集成半桥死区时间调节电路的制作方法
素材来自:xjishu.com

563 x 293 · png
PFC电路：死区时间理想值的考量 - 电子设计基础信息网站_罗姆电源设计R课堂
素材来自:techclass.rohm.com.cn

1000 x 400 · gif
高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法
素材来自:xjishu.com

728 x 523 · jpeg
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（二）：电源、滤波设计与死区时间 | 电子创新元件网
素材来自:murata.eetrend.com

素材来自:查看更多內容

当前用户设备UA：Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)