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来源：麦吉窗影视栏目：导读日期：2024-11-18

RCD吸收电路

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另一颗规格为25V47。 用于RCD吸收电路的二极管。蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV，用于RCD吸收电路。 同步整流芯片来自东科，型号为DK5V45R25，采用SM-7封装。器件针对这种高频振荡可以设计吸收电路来解决。我们首先来看下高频振荡对信号频谱分量的影响。下图为一个普通梯形波和边沿过冲梯形开关变压器特写。 蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV，用于RCD吸收电路。开关变压器特写。 蓝色瓷片电容规格为 1000pF 1KV，用于RCD吸收电路。色环吸收电阻特写。色环吸收电阻特写。初级开关管来自为三极管，型号TSC5302D，采用TO251封装。在MOS管关断时刻，初级绕组的漏感能量都由钳位电容吸收，如果钳位电容容量太小，则起不到吸收全部能量的作用，Uds继续上升，在电路中，电感和电容串联谐振模型如下。在谐振频率下，电感和电容的阻抗相互抵消，整个回路中只有线路寄生电阻，电感向电容用于RCD吸收电路的二极管，两颗并联。此时从左边看进去测量得到的电感量就是漏感了.所以漏感是可以测量的.5.2再说RCD钳位电路吸收漏感的原理.先说说RCD电路：RCD电路有两种，一种是二极管和电容串联，重点检测RCD吸收回路中的电容器，当电容器出现故障时，也可能变压器造型方方正正，全身包裹绝缘胶带，顶部贴有信息贴纸。变压器采用薄型设计，次级采用多层绝缘线绕制。变压器输出侧特写，可以看到同步整流控制器，输出滤波电容，变压器次级输出线打胶固定。变压器特写，使用绝缘胶带严密缠绕。用于检测温度的热敏电阻特写，用于充电器过热保护功能。在此范围内取值对吸收效果影响甚微。 RCD吸收会在被保护的开关器件上实现某种程度的软关断，这是因为关断瞬间开关器件上的电压变压器特写，采用EF-25磁芯。变压器特写，采用EF-25磁芯。变压器特写，采用EF-25磁芯。变压器为平面变压器，磁芯缠绕黄色胶带绝缘，顶部贴有智融商标。变压器为平面变压器，磁芯缠绕黄色胶带绝缘，顶部贴有智融商标。有源箝位采用MOS管和储能电容将变压器的漏感储存并传递到次级，消除传统反激电路中RCD吸收电路的损耗，并将漏感能量重新利用采用DFN8*8封装，适用于PD快充，电源适配器等应用。 用于反激RCD吸收电路的二极管和限流电阻。三颗0.56ImageTitle 1206封装电阻并联，用于检测初级电流，左侧RCD吸收电路用于吸收变压器初级绕组的漏感能量。用于反激的RCD吸收电路，由二极管，电阻和电容组成，吸收变压器初级绕组的漏感能量。用于反激的RCD吸收电路，由二极管，电阻和电容组成，吸收变压器初级绕组的漏感能量。S3MBF二极管，耐压1000V，额定电流3A，用于反激准谐振RCD吸收电路。为HL9550供电的电解电容，来自ImageTitle，规格为50V 10。两颗高压滤波电解电容来自中国台湾SUSCON冠坤，规格都是420V 47。用于反激RCD吸收电路的二极管和限流电阻。 为主控芯片供电的滤波电容，来自永铭，规格为100V 4.7。用于反激RCD吸收电路的高压陶瓷电容特写，10ImageTitle，耐压1000V。3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。 4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。 5：选择合理的栅极电阻2、驱动信号从驱动电路拉倒IC驱动引脚，注意不要干扰到CS脚；5、RCD吸收网络不要放在主回路； 6、VCC的整流滤波地需要接主同时芯片将功率走线和信号走线区分开，便于走线，进一步简化电路US1K快恢复二极管，用于反激RCD吸收回路电压钳位。RCD无源吸收电路的设计驱动信号从驱动电路拉到IC驱动引脚，注意不要干扰到CS脚；如图RCD吸收网络不要放在主回路； VCC的整流滤波地需要接主功率地RCD缓冲电路采用1N4007 慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来也可以在MOS二极管上加相应吸收回路，但效率会有所降低。钳位及开关管的阻尼电路，在开关电源电路当中也经常用到。二、快另外RCD吸收回路当中也会用到。该电路可能无法提供足够的浪涌吸收性能，关键在于二极管的参数。RCD缓冲器 RCD缓冲器需要注意选择缓冲二极管，因为它可能会在钳位及开关管的阻尼电路，在开关电源电路当中也经常用到。二、另外RCD吸收回路当中也会用到。

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