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本征激发最新视觉报道_本征激发是什么(2024年12月全程跟踪)

内容来源：麦吉窗影视所属栏目：热点更新日期：2024-12-02

本征激发

模拟电子技术总结，速看！今晚给大家带来的是电子信息类中的一个重要知识点——模拟电子技术的总结。这个知识点在江苏专转本考试中占据30%的分数，非常重要哦𐟒尟’劊𐟌ˆ𐟌ˆ第一章：半导体二极管本征半导体：这是指纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），这会产生两种带电性质相反的载流子——空穴和自由电子对。温度越高，本征激发越强。空穴：空穴是半导体中的一种等效+a的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+g电荷的空位宏观定向运动。复合现象：在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 𐟌ˆ𐟌ˆ这些知识点对大家做题都是非常有帮助的，记得拿小本本记起来哦！好了，今天给大家总结的是电子信息类知识点，明天会继续分享更多专业知识点，所以大家一定要关注我哈𐟌ˆ𐟌ˆ 记得收藏➕关注，每天都会分享转本知识点干货𐟒尟’倀

金属电阻与半导体电阻的本质区别如下： 1. **载流子类型及浓度**： - **金属**：载流子主要是自由电子。金属原子的最外层电子受原子核束缚较弱，在室温下这些电子可以轻易脱离原子核的束缚，成为自由电子在金属中自由移动，所以金属中自由电子浓度较高，这使得金属具有良好的导电性，电阻相对较低。例如，铜、铝等常见金属就是因为有大量的自由电子而成为优良的导体。 - **半导体**：载流子有两种，即带负电的自由电子和带正电的空穴。在纯净的半导体中，本征激发会使部分价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，即空穴。半导体中的自由电子和空穴数量相对较少，所以纯净半导体的电阻较高。不过，半导体的载流子浓度可以通过掺杂杂质来改变，从而改变其导电性能和电阻大小。 2. **能带结构**： - **金属**：金属的价带和导带是部分重合的，或者说其能带结构中存在半满带。这意味着电子很容易从价带跃迁到导带，从而形成电流，因此金属的导电性较好，电阻较低。 - **半导体**：半导体的禁带宽度介于导体和绝缘体之间。在一定温度下，半导体中的少量电子可以从价带被激发到导带，使半导体具有一定的导电性。当温度升高时，更多的电子可以被激发到导带，从而使半导体的导电能力增强，电阻降低。 3. **电阻与温度的关系**： - **金属**：金属的电阻随温度升高而增大。温度升高会使金属原子的热振动加剧，这会增加自由电子与原子实之间的碰撞概率，导致电子的定向移动受到更大的阻碍，从而使电阻增大。 - **半导体**：半导体的电阻随温度变化较为复杂。对于本征半导体，在一定温度范围内，温度升高会使更多的电子从价带激发到导带，同时也会使载流子的迁移率下降，但前者的影响大于后者，所以总体上电阻随温度升高而减小。对于杂质半导体，在杂质未完全电离时，温度升高会使杂质电离程度增加，载流子浓度增加，电阻减小；当杂质完全电离后，温度升高主要导致载流子的迁移率下降，电阻增大。 4. **电阻的影响因素**： - **金属**：金属的电阻主要受材料的纯度、晶格结构缺陷以及加工工艺等因素的影响。纯度越高、晶格结构越完整、加工工艺越好，金属的电阻越小。例如，高纯度的金属导线电阻相对较低，而含有杂质或存在晶格缺陷的金属材料电阻会增大。 - **半导体**：半导体的电阻除了受温度影响外，还受杂质浓度和类型的影响非常大。通过掺杂不同类型和浓度的杂质，可以改变半导体的导电类型（如从本征半导体变为n型或p型半导体）和电阻大小，从而满足不同的电子器件需求。

半导体的分类：n型和p型半导体详解 𐟓Œ 半导体根据其导电性质可以分为三大类：本征半导体、n型半导体和p型半导体。 𐟌🠦œ쥾半导体是指禁带中没有杂质能级，其导电性主要依靠导带中的电子和价带中的空穴共同作用。激发到导带上的自由电子数量与留在价带中的空穴数量总是成对出现，浓度相等。 𐟍Ž n型半导体和p型半导体则是指价带与导带之间出现了杂质能级。当杂质能级靠近导带下方，且其上的电子能激发到导带时，该杂质能级称为施主能级，这种以电子导电的半导体就是n型半导体。 𐟍 相反，当杂质能级靠近价带上方，且可以接受价带上激发的价电子，使价带产生一定的空穴，该杂质能级称为受主能级，这种以空穴导电的半导体称为p型半导体。 𐟍’ 由于n型半导体和p型半导体在禁带中引入了杂质能级，禁带宽度减小，因此它们比本征半导体更容易导电。 𐟔 例如，在本征半导体纯硅单晶中加入杂质磷或硼，可以形成n型半导体和p型半导体。硅单晶的禁带宽度为1.1 eV，而磷引入的施主能级与导带之间宽度为0.044 eV；硼产生的受主能级与满带间的宽度为0.045 eV，即n型半导体和p型半导体具有较本征半导体更优的导电性。 𐟒ᠥ› 此，通过掺杂，半导体的导电性显著提高，不影响其作为电化学催化剂的使用。

室温铁磁VSSe，新奇性质！最近，Janus过渡金属双卤代化合物单层和铁磁VSe2单层在实验上取得了成功，这激发了我们对其他类似结构的探索。通过密度泛函理论方法，我们预测了一种高度稳定的室温铁磁Janus单分子层（VSSe），并通过基于粒子群优化方法的全局最小搜索进一步证实了其稳定性。 VSSe单分子层的一个有趣特性是其时空反转对称性的破坏，这导致了显著的谷极化。此外，其低对称性C3v点群也导致了巨大的平面内压电极化。最令人惊讶的是，在磁性VSSe单分子层中发现了应变驱动的90Ⱖ™𖦠𜦗‹转，其反转应变高达73%，表明其具有很好的本征铁弹性。结合压电和谷极化的特性，磁性二维JanusVSSe在纳米电子学、光电子学和谷电子学中具有潜在的应用价值，是一种非常有吸引力的材料。